发明公开
CN1802750A 经改进的成像装置的遮光层
失效 - 权利终止
- 专利标题: 经改进的成像装置的遮光层
- 专利标题(英): Improved imager light shield
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申请号: CN200480015732.2申请日: 2004-04-08
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公开(公告)号: CN1802750A公开(公告)日: 2006-07-12
- 发明人: H·E·罗德斯
- 申请人: 微米技术有限公司
- 申请人地址: 美国爱达荷州
- 专利权人: 微米技术有限公司
- 当前专利权人: 微米技术有限公司
- 当前专利权人地址: 美国爱达荷州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 杨凯; 张志醒
- 优先权: 10/410,191 2003.04.10 US
- 国际申请: PCT/US2004/010707 2004.04.08
- 国际公布: WO2004/093439 EN 2004.10.28
- 进入国家日期: 2005-12-06
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146
摘要:
一种经改进的成像装置像素的结构,在像素电路至少但在像素导电互连层之下设有遮光层。遮光层可为不透光(或几乎不透光)材料的薄膜,并有孔供接触体连接到下面的电路。遮光层中的开口露出像素的光电转换器的活性区。
公开/授权文献
- CN1802750B 经改进的成像装置的遮光层 公开/授权日:2012-04-18