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公开(公告)号：CN100487901C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480012379.2
申请日：2004-03-12
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/76224 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 公开了一种位于第一导电类型的衬底内的具有侧壁和底部注入区的沟槽隔离结构。该侧壁与底部注入区用第一导电类型掺杂物以斜角注入、90°角注入或斜角与90°角组合注入的方式形成。位于邻近沟槽隔离的该侧壁与底部注入区可减小表面泄漏和暗电流。
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公开(公告)号：CN100342520C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03820195.X
申请日：2003-08-28
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/334
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L21/76877 , H01L27/10808 , H01L27/10855 , H01L28/91
摘要： 使用支撑层辅助平面化处理以在开口内形成导电材料(例如Ⅷ族金属)的方法和结构。而且，这种方法和结构可以使用Ⅷ族金属作为平面化处理的蚀刻终止或终点，随后蚀刻除去不需要的Ⅷ族金属部分。在开口内提供导电材料(44)的一个典型方法包括，提供具有至少一个表面的基底组件，并提供通过基底组件表面限定的开口。开口由至少一个表面限定。至少一种导电材料(44)(例如至少一种Ⅷ族金属，如铂和/或铑)形成在开口内限定该开口的至少一个表面上，并且形成在基底组件表面的一部分上。支撑膜(46)(例如氧化物材料)形成在导电材料上，并且填充材料(48)(例如光刻胶材料)形成在支撑膜的至少一部分上。所述填充材料至少填充开口。然后，至少开口外面的填充材料通过平面化除去。然后除去开口外部的支撑膜、开口外部的所述至少一种导电材料、开口内部的填充材料和开口内部的支撑膜。
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公开(公告)号：CN101521217A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910132434.6
申请日：2004-03-12
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/078 , H01L21/762 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/76224 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 用于沟道隔离的斜角注入。一种用于像素传感器单元的沟道隔离结构，包括：形成在衬底中的介质材料；以及位于邻近所述高介质材料的至少一个侧壁并与光传感器区域接触的注入区。
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公开(公告)号：CN1679160A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820195.X
申请日：2003-08-28
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/334
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L21/76877 , H01L27/10808 , H01L27/10855 , H01L28/91
摘要： 使用支撑层辅助平面化处理以在开口内形成导电材料(例如VIII族金属)的方法和结构。而且，这种方法和结构可以使用VIII族金属作为平面化处理的蚀刻终止或终点，随后蚀刻除去不需要的VIII族金属部分。在开口内提供导电材料(44)的一个典型方法包括，提供具有至少一个表面的基底组件，并提供通过基底组件表面限定的开口。开口由至少一个表面限定。至少一种导电材料(44)(例如至少一种VIII族金属，如铂和/或铑)形成在开口内限定该开口的至少一个表面上，并且形成在基底组件表面的一部分上。支撑膜(46)(例如氧化物材料)形成在导电材料上，并且填充材料(48)(例如光刻胶材料)形成在支撑膜的至少一部分上。所述填充材料至少填充开口。然后，至少开口外面的填充材料通过平面化除去。然后除去开口外部的支撑膜、开口外部的所述至少一种导电材料、开口内部的填充材料和开口内部的支撑膜。
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公开(公告)号：CN1836440A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023502.0
申请日：2004-06-10
申请人： 微米技术有限公司
发明人： H·E·罗德斯
IPC分类号： H04N5/335
CPC分类号： H04N5/23241 , H01L27/14643 , H01L27/14656 , H04N5/3698 , H04N5/374
摘要： 公开了一种用于成像器件的像素。该像素包括设置在用于提供光子产生电荷的衬底中的光敏器件，和所述光敏器件相关的电路，用于提供代表所述光子产生电荷的至少一种像素输出信号，该电路至少包括在所述相关电路操作期间响应第一控制信号的第一可操作器件，和泵电路。该泵电路可以包括衬底泵、电荷泵和/或电压泵。该像素还可以嵌在成像系统中。
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公开(公告)号：CN1833429A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022583.2
申请日：2004-06-10
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H04N3/15
CPC分类号： H01L27/14603 , H04N5/35572 , H04N5/3559 , H04N5/37452
摘要： 本发明公开了一种具有双转换增益浮动扩散区域的成像器。双转换增益区域产生(1)高转换增益和敏感度以实现极佳微光性能以及(2)高全阱容量和转换增益以实现高动态范围。双转换增益元件耦合在每个浮动扩散节点与相应的电容器之间。双转换增益元件接入电容器的电容以将浮动扩散节点的转换增益从第一转换增益改为第二转换增益。成像器可以是CMOS或CCD型成像器。
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公开(公告)号：CN1802750B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200480015732.2
申请日：2004-04-08
申请人： 微米技术有限公司
发明人： H·E·罗德斯
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14623
摘要： 一种经改进的成像装置像素的结构，在像素电路至少但在像素导电互连层之下设有遮光层。遮光层可为不透光(或几乎不透光)材料的薄膜，并有孔供接触体连接到下面的电路。遮光层中的开口露出像素的光电转换器的活性区。
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公开(公告)号：CN1860610A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200480027984.7
申请日：2004-07-15
申请人： 微米技术有限公司
发明人： H·E·罗德斯
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609
摘要： 公开了一种钉扎光电二极管，其具有从栅极结构的电有效区域横向移位的第一导电型表面层和通过倾斜注入形成的第二导电型电荷收集区。电荷收集区注入的角度可以设计成使该电荷收集区与该像素传感器单元的转移栅极的相邻边缘接触，因此将栅极重叠区和不希望有的势垒电位减到最小。
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公开(公告)号：CN1843026A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024614.8
申请日：2004-06-30
申请人： 微米技术有限公司
发明人： H·E·罗德斯
IPC分类号： H04N3/15
CPC分类号： H01L27/14627 , H01L27/1462 , H01L27/14806 , H01L27/14887 , H04N5/3535 , H04N5/37457
摘要： 本发明实施例提供了允许自动照明控制和相关二重抽样操作的像素单元。像素单元包括可被独立读出的第一和第二光电转换器件。例如，第二光电转换器件可以是像素单元的浮动扩散区，带有适用于光电转换的区域和掺杂分布图。图像传感器可包括像素单元阵列，其中的一些或所有的像素单元带有两个光电转换器件；并且可包括用于从像素单元读出信号的外围电路。图像传感器的读出电路可监控由第二光电转换器件生成的电荷，以此确定什么时候读出来自第一光电转换器件的信号。
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公开(公告)号：CN1802750A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015732.2
申请日：2004-04-08
申请人： 微米技术有限公司
发明人： H·E·罗德斯
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14623
摘要： 一种经改进的成像装置像素的结构，在像素电路至少但在像素导电互连层之下设有遮光层。遮光层可为不透光(或几乎不透光)材料的薄膜，并有孔供接触体连接到下面的电路。遮光层中的开口露出像素的光电转换器的活性区。
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