发明公开
- 专利标题： 悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
- 专利标题（英）： Silicon-on-nothing metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor and method for manufacturing the same
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申请号： CN200610002371.9申请日： 2006-01-27
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公开(公告)号： CN1835248A公开(公告)日： 2006-09-20
- 发明人: 崔梁圭 , 张东润
- 申请人： 韩国科学技术院
- 申请人地址： 韩国大田市
- 专利权人： 韩国科学技术院
- 当前专利权人： 韩国科学技术院
- 当前专利权人地址： 韩国大田市
- 代理机构： 北京中安信知识产权代理事务所
- 代理商 张小娟; 徐林
- 优先权： 10－2005－0022425 2005.03.17 KR
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明涉及一种SON MOSFET及其制造方法，其中在硅基板内形成有气泡，进而同时改进晶块结构和绝缘体上硅(SOI)结构的缺陷。根据本发明的SON MOSFET包括形成在硅基板顶部两侧上的隔离绝缘膜，顺序形成在隔离绝缘膜之间的硅基板表面上的栅极绝缘膜和栅极，形成在栅极绝缘膜和隔离绝缘膜之间的硅基板上源极区和漏极区，形成在栅极绝缘膜下方硅基板内的气泡，以及气泡、源极区和漏极区围绕的置于硅基板内的硅沟道，其中气泡由氢或氦离子形成。
IPC分类:
