发明授权
- 专利标题: 硅基螺旋电感器件非对称等效电路模型参数的提取方法
- 专利标题(英): Extraction method for asymmetric equivalent circuit model parameter of silicon based spiral inductor
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申请号: CN200510024972.5申请日: 2005-04-08
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公开(公告)号: CN1845301B公开(公告)日: 2010-06-09
- 发明人: 姜楠 , 黄风义
- 申请人: 上海傲亚微电子有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号浦东软件园22号楼201室
- 专利权人: 上海傲亚微电子有限公司
- 当前专利权人: 南京展芯通讯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号浦东软件园22号楼201室
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L21/00 ; H01L29/00 ; H01F41/00 ; H01F17/00
摘要:
本专利“硅基螺旋电感器件非对称等效电路模型参数的提取方法”属于微电子与集成电路领域。本方法是在测试的S-参数的基础上,通过对9元参数的非对称螺旋电感等效电路的分析,发现了一系列反映电感器件最重要特性的特征函数。从线性系数中,可直接求出等效电路模型的参数值。本算法可以避免传统的迭代和拟合方法中存在的多值性和非最佳解等问题,并且可以实现同测试结果较高精度的符合。利用所提取的参数值做初始值,在传统的迭代拟合程序下优化,可以得到高精度的等效电路模型的元件值。
公开/授权文献
- CN1845301A 硅基螺旋电感器件非对称等效电路模型参数的提取方法 公开/授权日:2006-10-11
IPC分类: