包括除去光刻胶的等离子体灰化处理的形成半导体器件的方法

发明公开

CN1855367A 包括除去光刻胶的等离子体灰化处理的形成半导体器件的方法无效 - 撤回

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专利标题： 包括除去光刻胶的等离子体灰化处理的形成半导体器件的方法
专利标题（英）： Method for forming a semiconductor device including a plasma ashing treatment for removal of photoresist
申请号： CN200610073696.6

申请日： 2006-04-19
公开(公告)号： CN1855367A

公开(公告)日： 2006-11-01
发明人: 大内雅彦
申请人： 尔必达存储器股份有限公司
申请人地址： 日本东京
专利权人： 尔必达存储器股份有限公司
当前专利权人： 尔必达存储器股份有限公司
当前专利权人地址： 日本东京
代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
代理商 陈平
优先权： 2005－120610 2005.04.19 JP
主分类号： H01L21/02
IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/8242 ; G03F7/36

摘要：

一种在DRAM装置中形成具有金属氮化物底电极，电容器绝缘膜和上电极的圆柱形电容器的方法包括以下步骤：在圆柱孔中的底电极上形成光刻胶膜，通过使用无氧气体的等离子体灰化处理除去光刻胶膜，和在底电极上连续地形成绝缘膜和上电极。等离子体灰化处理采用将等离子体气体加速到圆柱形沟槽中的偏压。

摘要（英）：

A method for forming a cylindrical capacitor having a metal-nitride bottom electrode, capacitor insulation film and a top electrode in a DRAM device includes the step of forming a photoresist film on the bottom electrode in a cylindrical hole, removing the photoresist film by using a plasma ashing treatment using non-oxygen gas, and consecutively forming the insulation film and the top electrode on the bottom electrode. The plasma ashing treatment uses a bias power for accelerating the plasma gas into the cylindrical trench.

信息查询

中国专利公布公告 Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理