发明授权
- 专利标题: Ⅲ族-氮化物器件的钝化及其方法
- 专利标题(英): III-nitride device passivation and method
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申请号: CN200480036192.6申请日: 2004-12-06
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公开(公告)号: CN1890814B公开(公告)日: 2010-05-05
- 发明人: 罗伯特·彼迟
- 申请人: 国际整流器公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 国际整流器公司
- 当前专利权人: 英飞凌科技美洲公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余朦; 方挺
- 优先权: 60/527,627 2003.12.05 US; 60/527,634 2003.12.05 US; 11/004,212 2004.12.03 US
- 国际申请: PCT/US2004/040605 2004.12.06
- 国际公布: WO2005/057624 EN 2005.06.23
- 进入国家日期: 2006-06-05
- 主分类号: H01L29/739
- IPC分类号: H01L29/739 ; H01L31/0328
摘要:
III族-氮化物半导体器件的一种实施方案以及其制造方法,可以包括低电阻钝化层,所述钝化层使得能够形成器件接触,而不会在高温处理过程中损坏III族-氮化物材料。该钝化层也可以设置在接触与器件的有源层之间,从而为电流传导提供低电阻路径。该钝化过程可用于多种器件,包括FET、整流器、肖特基二极管等,以提交击穿电压和防止在接触结附近出现电场聚集效应。该钝化层可以通过低温退火激活,从而不会在外扩散方面对III族-氮化物器件产生影响。
公开/授权文献
- CN1890814A Ⅲ族-氮化物器件的钝化及其方法 公开/授权日:2007-01-03