Invention Publication
CN1893023A 半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件的制造方法
- Patent Title (English): Method for manufacturing semiconductor device
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Application No.: CN200610094698.3Application Date: 2006-06-26
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Publication No.: CN1893023APublication Date: 2007-01-10
- Inventor: 鹤目卓也 , 楠本直人
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 沈昭坤
- Priority: 2005－192484 2005.06.30 JP
- Main IPC: H01L21/82
- IPC: H01L21/82 ; H01L21/78
Abstract:
本发明的目的在于提供具有柔性和高物理强度的半导体器件的制造方法。其要点如下：在衬底的一方表面上形成包括多个集成电路的元件层，然后在所述衬底的一方表面一侧的一部分形成具有曲率的孔，接着使所述衬底成为薄(例如，对于所述衬底的另一方表面进行磨削、抛光)，对应于所述孔形成的位置切断该衬底并且使所述衬底的切断面具有曲率，从而形成具有集成电路的叠层体。此外，所述被抛光的衬底的厚度为2至50μm(包括2μm和50μm)。
Public/Granted literature
- CN100565836C 半导体器件的制造方法 Public/Granted day:2009-12-02
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IPC分类:
