发明公开
CN1916245A 结晶生长晶体的质量评价方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 结晶生长晶体的质量评价方法
- 专利标题(英): Quality estimating method for cropping a single crystal ingot
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申请号: CN200610087066.4申请日: 2006-06-14
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公开(公告)号: CN1916245A公开(公告)日: 2007-02-21
- 发明人: 金珍根 , 赵铉鼎
- 申请人: 希特隆股份有限公司
- 申请人地址: 韩国庆尚北道
- 专利权人: 希特隆股份有限公司
- 当前专利权人: 希特隆股份有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国庆尚北道
- 代理机构: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 武玉琴; 张友文
- 优先权: 10-2005-0051082 2005.06.14 KR
- 主分类号: C30B35/00
- IPC分类号: C30B35/00
摘要:
本发明提供结晶生长晶体的质量评价方法,包括确定切断位置和取样位置的步骤和试样评价步骤,前一步骤包括:a)确定试样位置,输入按照不同装备、不同制品确定切断位置、取样位置和最初位置的基本信息;b)按基本信息预先确定切断位置、最初位置和取样位置;c)监控晶体生长过程,分析和保存与晶体的生长相关的X因素;d)反映基本信息和X因素,确定切断位置和取样位置。这样,在选择分辨监控的影响晶体质量的主要因素(X因素)后,以进行统一对比和分析为基础,制定确定切断位置和取样位置、取样数的规则,使剩余检验和不使用的最初的量最小化,把数据制作成数据库,用自动化系统构建切断和取样业务,可以使操作人员和现场的业务量减少。
IPC分类: