公开(公告)号：CN101831695B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010166761.6

申请日：2005-11-23

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 赵铉鼎

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B15/203 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  Y10S117/917 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1088

摘要： 本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供一种硅单晶的生长装置，是用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的装置，其包括：室；坩埚，设置在所述室的内部，盛硅熔体；加热器，设置在所述坩埚的侧面加热所述硅熔体，相对于所述硅熔体的整体深度距所述熔体的表面1/5处至2/3处所对应的部分，发热量比周边增加；拉拔机构，从所述硅熔体中拉拔生长的硅单晶。

公开(公告)号：CN101831696A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010166765.4

申请日：2005-11-23

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 赵铉鼎

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/20

CPC分类号： C30B15/203 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  Y10S117/917 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1088

摘要： 本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：把装有熔体的坩埚的旋转速度作为Vc，所述硅单晶的旋转速度作为Vs时，用满足3≤Ln[Vs/Vc]≤5的条件使硅单晶生长。

公开(公告)号：CN101140969A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200610154113.2

申请日：2006-09-08

申请人： 希特隆股份有限公司 ,  学校法人浦项工科大学校

发明人： 李奎哲 ,  安星振 ,  金容进 ,  李东键

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

摘要： 化合物半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上涂覆多个球形球并在其上涂覆有球形球的衬底上选择性生长化合物半导体薄膜。整个过程可以被简化，并且与外延横向过生长(ELO)法相比可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1637175A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410096670.4

申请日：2004-12-03

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 洪宁皓 ,  崔日洙 ,  李洪雨 ,  金尚熹 ,  郭晚锡

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  Y10T428/21

摘要： 本发明改进了用于生长单晶硅锭的切克劳斯基(Czochralski)方法并提供了具有极佳耐电压特性的氧化层的高质量硅晶片。本发明还提供了可以均匀控制空位缺陷的密度和分布的设备及方法。在1000～1100℃的温度范围内，单晶硅锭在锭的温度差异小于或等于20℃/cm的条件下生长。

公开(公告)号：CN1195107C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02118853.X

申请日：2002-04-29

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 李洪雨 ,  崔埈荣 ,  赵铉鼎

IPC分类号： C30B15/10 ,  C30B15/30

CPC分类号： C30B15/14 ,  C30B15/10 ,  C30B15/30

摘要： 一种硅锭块生长装置，其包含：石墨坩埚，其中装有石英坩埚；传动轴，它与石墨坩埚的下部相连接，可使石墨坩埚实现旋转和上下移动，并为石墨坩埚提供支承，该传动轴包含内部中空的空心轴部分、与空心轴部分底部相连接的用于抑制热传递的绝热轴部分以及与绝热轴部分底部相连接的圆柱形轴部分；用于石墨坩埚加热的加热装置；以及用于石墨坩埚、加热装置和部分传动轴的保护和与外界环境实现温度隔离的绝热墙。本发明有助于降低高温带熔融硅和石英坩埚的温度梯度，改善热量分布的均匀性，进而达到提高单晶锭块质量的目的。

公开(公告)号：CN1182280C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN01139701.2

申请日：2001-11-27

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 李洪雨 ,  崔埈荣 ,  赵铉鼎 ,  俞学道

IPC分类号： C30B35/00

CPC分类号： C30B15/14 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072

摘要： 一种生长单晶坯料的装置，该装置具有一容器室，一石英坩埚设置在容器室内，石英坩埚用于生长置入坩埚内提拉的具有一定直径D的单晶坯料，石英坩埚被包裹在固定到转轴的坩埚支撑内，一围绕坩埚支撑的圆柱形加热器；一围绕圆柱形加热器的保温器，所述的保温器阻止由加热器辐射的热传递到所述容器室的壁内，热屏蔽包括设置在单晶坯料和坩埚之间的第一圆柱形屏蔽部分，连接到第一屏蔽部分的上部的第二法兰型屏蔽部分，和连接到第一屏蔽部分的下部并朝向坯料凸起的第三屏蔽部分。

公开(公告)号：CN1356408A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN01139701.2

申请日：2001-11-27

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 李洪雨 ,  崔埈荣 ,  赵铉鼎 ,  俞学道

IPC分类号： C30B15/00

CPC分类号： C30B15/14 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072

摘要： 一种生长单晶坯料的装置,该装置具有一容器室,一石英坩埚设置在容器室内,石英坩埚用于生长置入坩埚内提拉的具有一定直径D的单晶坯料,石英坩埚被包裹在固定到转轴的坩埚支撑内,一围绕坩埚支撑的圆柱形加热器;一围绕圆柱形加热器的保温器,所述的保温器阻止由加热器辐射的热传递到所述容器室的壁内,热屏蔽包括设置在单晶坯料和坩埚之间的第一圆柱形屏蔽部分,连接到第一屏蔽部分的上部的第二法兰型屏蔽部分,和连接到第一屏蔽部分的下部并朝向坯料凸起的第三屏蔽部分。

公开(公告)号：CN101831697B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201010166780.9

申请日：2005-11-23

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 赵铉鼎

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20

CPC分类号： C30B15/203 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  Y10S117/917 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1088

摘要： 本发明提供一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：在沿平行于单晶的径向的轴测定硅熔体的温度梯度时，把所测定的最大温度梯度称为ΔTmax，最小温度梯度称为ΔTmin，用满足{(ΔTmax-ΔTmin)/ΔTmin}×100≤10的条件使硅单晶生长。

公开(公告)号：CN1995486B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200610149906.5

申请日：2003-12-23

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 赵铉鼎 ,  李洪雨 ,  郑镇秀 ,  金仙美

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00

摘要： 本发明涉及一种使用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，该方法可提供具有非常均匀的平面质量的硅片，因而提高半导体装置的产量。本发明建议一种用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，其中，当熔硅对流被分为核单元和外单元时，单晶硅锭在核单元水平方向最大宽度是熔硅表面半径的30-60％的条件下生长。在一个实施例中，单晶硅锭在核单元垂直方向最大深度等于或大于熔硅最大深度的50％的情况下生长。

公开(公告)号：CN1788965B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200510115239.4

申请日：2005-11-11

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 池恩相 ,  李劲武

IPC分类号： B28D5/04 ,  H01L21/304

CPC分类号： B24B27/0633 ,  B28D5/0064 ,  B28D5/007 ,  B28D5/045 ,  Y02P70/179 ,  Y10T83/9292

摘要： 本发明的晶棒的切割方法及其装置，用于改善所切割晶片表面的纳米形貌，其向金属丝供给切割液的同时移动金属丝，并通过切割液将所送进的晶棒切成若干晶片，随后进入研磨、蚀刻、抛光等工序。本发明的晶棒的切割方法包括第一切片阶段，其利用小直径第一金属丝切割晶棒的一侧，以在晶片上形成第一切片部；及第二切片阶段，其利用直径大于第一金属丝直径的第二金属丝切割晶棒的剩余部分，以在所述晶片上形成连续于第一切片部的第二切片部。