发明公开
CN1936705A 光致抗蚀剂组合物及利用它制备薄膜晶体管基底的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 光致抗蚀剂组合物及利用它制备薄膜晶体管基底的方法
- 专利标题（英）： Photoresist composition and method of manufacturing a thin-film transistor substrate using the same
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申请号： CN200610144771.3申请日： 2006-08-23
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公开(公告)号： CN1936705A公开(公告)日： 2007-03-28
- 发明人: 朴廷敏 , 李羲国 , 尹赫敏 , 丘翼赫 , 金柄郁
- 申请人： 三星电子株式会社 , 东进瑟弥侃株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社,东进瑟弥侃株式会社
- 当前专利权人： 三星显示有限公司,东进瑟弥侃株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张平元; 赵仁临
- 优先权： 77308/05 2005.08.23 KR
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/20 ; G03F7/26 ; H01L21/027
摘要：
光致抗蚀剂组合物包含约10～70％重量的含有苯酚－基聚合物的粘合剂树脂、约0.5～10％重量的光－酸发生剂、约1～20％重量的交联剂、约0.1～5％重量的染料和约10～80％重量的溶剂。该光致抗蚀剂组合物可以应用于例如制备TFT基底的方法。
公开/授权文献
- CN1936705B 光致抗蚀剂组合物及利用它制备薄膜晶体管基底的方法 公开/授权日：2011-12-21