发明公开
- 专利标题： 嵌入有半导体IC的基板及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor IC-embedded substrate and method for manufacturing same
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申请号： CN200610159955.7申请日： 2006-09-28
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公开(公告)号： CN1941339A公开(公告)日： 2007-04-04
- 发明人: 川畑贤一 , 森田高章
- 申请人： TDK株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： TDK株式会社
- 当前专利权人： TDK株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 吕俊刚
- 优先权： 2005－282231 2005.09.28 JP; 2006－050475 2006.02.27 JP
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L21/48 ; H05K1/00 ; H05K3/00
摘要：
本发明提供了嵌入有半导体IC的基板及其制造方法。一种适合嵌入其中电极间距非常窄的半导体IC的嵌入有半导体IC的基板。该基板包括：其中在主表面(120a)上设置有柱状凸点(121)的半导体IC(120)；用于覆盖半导体IC(120)的主表面(120a)的第一树脂层(111)；以及用于覆盖半导体IC(120)的背面(120b)的第二树脂层(112)。半导体IC(120)的柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起。用于使柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起的的方法可以包括使用湿法喷砂方法使第一树脂层(111)的厚度整体减小。由此，即使在半导体IC(120)的电极间距窄时也可以适当地暴露出柱状凸点(121)。
公开/授权文献
- CN1941339B 嵌入有半导体IC的基板及其制造方法 公开/授权日：2011-09-14
IPC分类:
