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公开(公告)号:CN1941339B
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN200610159955.7
申请日:2006-09-28
申请人: TDK株式会社
CPC分类号: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/544 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L2221/68368 , H01L2223/54473 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13171 , H01L2224/24225 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83132 , H01L2224/83136 , H01L2224/92244 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H05K1/185 , H05K3/4652 , H05K2201/09518 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09781 , H05K2201/09918 , H05K2201/10674 , H05K2203/016 , H05K2203/1469 , H05K2203/166 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了嵌入有半导体IC的基板及其制造方法。一种适合嵌入其中电极间距非常窄的半导体IC的嵌入有半导体IC的基板。该基板包括:其中在主表面(120a)上设置有柱状凸点(121)的半导体IC(120);用于覆盖半导体IC(120)的主表面(120a)的第一树脂层(111);以及用于覆盖半导体IC(120)的背面(120b)的第二树脂层(112)。半导体IC(120)的柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起。用于使柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起的的方法可以包括使用湿法喷砂方法使第一树脂层(111)的厚度整体减小。由此,即使在半导体IC(120)的电极间距窄时也可以适当地暴露出柱状凸点(121)。
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公开(公告)号:CN118824740A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410468786.3
申请日:2024-04-18
申请人: TDK株式会社
摘要: 本公开的固体电解电容器具备包含被层叠的多个固体电解电容器要素的层叠体(100)、设置于层叠体(100)的第一侧面(S1)的第一侧面电极(E1)、设置于层叠体(100)的第二侧面(S2)的第二侧面电极(E2)、以及设置于层叠体(100)上的保护绝缘体(16)。侧面电极能够具备弯曲部,阳极电极层能够在侧面电极侧突出,和/或能够在阳极电极层的侧面和侧面电极之间介设绝缘区域及绝缘层。
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公开(公告)号:CN101355858B
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200810144213.6
申请日:2008-07-25
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: H01L23/12 , H01L23/538 , H01L21/48
CPC分类号: H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K3/0052 , H05K3/0097 , H05K3/4602 , H05K2201/068 , H05K2201/2009 , H05K2203/0169 , Y10T29/49146 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种不需要繁杂的工序能够以低成本抑制弯曲的发生、生产率和经济性优异的电子部件内置基板的制造方法。工作片(100)在大致为矩形的基体(11)的一个面上具有绝缘层(21、31),在绝缘层(21)的内部埋设有电子部件(41)和板状框元件(51)(元件),在基体(11)的电子部件(41)的非载置部载置有满足下式(1)所示关系的板状框元件(51)。式中,α1、α2和α3分别表示电子部件(41),板状框元件(51)和基体11、各配线层或各绝缘层的线热膨胀系数(ppm/K)。α1<α3并且α2<α3……(1)。
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公开(公告)号:CN101355858A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810144213.6
申请日:2008-07-25
申请人: TDK株式会社
CPC分类号: H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K3/0052 , H05K3/0097 , H05K3/4602 , H05K2201/068 , H05K2201/2009 , H05K2203/0169 , Y10T29/49146 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种不需要繁杂的工序能够以低成本抑制弯曲的发生、生产率和经济性优异的电子部件内置基板的制造方法。工作片(100)在大致为矩形的基体(11)的一个面上具有绝缘层(21、31),在绝缘层(21)的内部埋设有电子部件(41)和板状框元件(51)(元件),在基体(11)的电子部件(41)的非载置部载置有满足下式(1)所示关系的板状框元件(51)。式中,α1、α2和α3分别表示电子部件(41),板状框元件(51)和基体(11)、各配线层或各绝缘层的线热膨胀系数(ppm/K)。α1<α3并且α2<α3……(1)
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公开(公告)号:CN1941339A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200610159955.7
申请日:2006-09-28
申请人: TDK株式会社
CPC分类号: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/544 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L2221/68368 , H01L2223/54473 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13171 , H01L2224/24225 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83132 , H01L2224/83136 , H01L2224/92244 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H05K1/185 , H05K3/4652 , H05K2201/09518 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09781 , H05K2201/09918 , H05K2201/10674 , H05K2203/016 , H05K2203/1469 , H05K2203/166 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了嵌入有半导体IC的基板及其制造方法。一种适合嵌入其中电极间距非常窄的半导体IC的嵌入有半导体IC的基板。该基板包括:其中在主表面(120a)上设置有柱状凸点(121)的半导体IC(120);用于覆盖半导体IC(120)的主表面(120a)的第一树脂层(111);以及用于覆盖半导体IC(120)的背面(120b)的第二树脂层(112)。半导体IC(120)的柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起。用于使柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起的的方法可以包括使用湿法喷砂方法使第一树脂层(111)的厚度整体减小。由此,即使在半导体IC(120)的电极间距窄时也可以适当地暴露出柱状凸点(121)。
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