Invention Publication
- Patent Title: 半导体发光元件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor light-emitting device and producing method for the same
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Application No.: CN200610141243.2Application Date: 2006-09-29
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Publication No.: CN1941438APublication Date: 2007-04-04
- Inventor: 铃木真理子 , 小野富男 , 酒井忠司 , 佐久间尚志 , 吉田博昭
- Applicant: 株式会社东芝
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 李峥; 于静
- Priority: 285592/2005 2005.09.29 JP
- Main IPC: H01L33/00
- IPC: H01L33/00
Abstract:
本发明提供发光效率高、减少了发热的半导体发光元件。该半导体发光元件的特征在于具备：第1半导体层(3)；配置在第1半导体层上的折射率比第1半导体层(3)小的发光层(4)；配置在发光层(4)上的折射率比发光层(4)小的第2半导体层(5)；连接到第1半导体层(3)和第2半导体层(5)的向发光层(4)供给电流的金属电极(6a)、(6b)。
Public/Granted literature
- CN100539217C 半导体发光元件及其制造方法 Public/Granted day:2009-09-09
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IPC分类:
