公开(公告)号：CN1909142A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108357.7

申请日：2006-08-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 酒井忠司 ,  小野富男 ,  佐久间尚志 ,  吉田博昭 ,  铃木真理子

IPC: H01J1/00 ,  H01J1/30 ,  H01J1/34

CPC classification number: H01J21/04 ,  H01J3/021

Abstract: 本发明提供一种电子发射装置，其可稳定地发射电子，并且尽管施加低电压，也能实现电子的高输出。该电子发射装置具有：构成放电单元的一面的室内阴极；与室内阴极相对配置的金刚石隔壁；通过被配置在室内阴极与金刚石隔壁的第1面之间而形成密封空间的绝缘体；被封入密封空间内惰性气体；被配置成隔着真空，与金刚石隔壁的第1面的反对面、即第2面相对配置的放电阳极；第1电源在室内阴极与金刚石隔壁之间，把金刚石隔壁作为阳极侧来施加电压的第1电源；和在金刚石隔壁与放电阳极之间，把放电阳极作为阳极侧来施加电压的第2电源。

公开(公告)号：CN1577717A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058700.2

申请日：2004-07-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 酒井忠司 ,  小野富男 ,  佐久间尚志 ,  铃木真理子 ,  吉田博昭

IPC: H01J61/067 ,  H01J61/06 ,  H01J1/13 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J9/042 ,  H01J1/15 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/0737

Abstract: 本发明涉及放电电极、放电灯以及用于制造放电电极的方法，其中具体公开了一种向放电气体中发射电子的放电电极，其包括发射体和配置为向发射体提供电流的电流供应端。发射体包括在300K下带隙为2.2eV或更宽的宽带隙半导体。在宽带隙半导体中掺杂受主杂质原子和施主杂质原子，施主杂质原子的活化能比受主杂质原子的活化能更大。

公开(公告)号：CN104851920B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510071076.8

申请日：2015-02-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃木真理子 ,  酒井忠司

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置以及其制造方法，实施方式的半导体装置具备：p型的第一金刚石半导体层；表面被氧终止后的p型的第二金刚石半导体层，配置于第一金刚石半导体层上，且p型杂质浓度比第一金刚石半导体层的p型杂质浓度低；表面被氧终止后的多个n型的第三金刚石半导体层，配置于第二金刚石半导体层上；以及第一电极，配置于第二金刚石半导体层上以及第三金刚石半导体层上，且与第二金刚石半导体层形成第一接合，与第三金刚石半导体层形成第二接合，第一接合与第二接合为肖特基结。

公开(公告)号：CN100539217C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610141243.2

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃木真理子 ,  小野富男 ,  酒井忠司 ,  佐久间尚志 ,  吉田博昭

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明提供发光效率高、减少了发热的半导体发光元件。该半导体发光元件的特征在于具备：第1半导体层(3)；配置在第1半导体层上的折射率比第1半导体层(3)小的发光层(4)；配置在发光层(4)上的折射率比发光层(4)小的第2半导体层(5)；连接到第1半导体层(3)和第2半导体层(5)的向发光层(4)供给电流的金属电极(6a)、(6b)。

公开(公告)号：CN1578540A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058628.3

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃木和拓 ,  舟木英之 ,  重中圭太郎 ,  小野富男 ,  酒井忠司 ,  成濑雄二郎 ,  饭田义典 ,  藤原郁夫

IPC: H04R23/00 ,  H04R1/38

CPC classification number: G01H9/00

Abstract: 本发明提供一种声电变换装置，包括：具有衍射光栅，通过外力进行振动的振动板；对衍射光栅照射光的光源；和检测由衍射光栅衍射的光并变换为电信号的光检测器；其结构要使振动板的变位转换成电信号。

公开(公告)号：CN101038900A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710088535.9

申请日：2007-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野富男 ,  酒井忠司 ,  佐久间尚志 ,  吉田博昭 ,  铃木真理子

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20 ,  H01L21/50 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种散热器包括由绝缘金刚石形成的基座部分和由绝缘金刚石形成并设置在基座部分上的多个压接件。

公开(公告)号：CN1921065A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610115424.8

申请日：2006-08-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野富男 ,  酒井忠司 ,  佐久间尚志 ,  吉田博昭 ,  铃木真理子

IPC: H01J61/06

CPC classification number: H01J61/0672 ,  H01J9/022 ,  H01J61/0675 ,  H01J61/72

Abstract: 一种用于放电灯的冷阴极包括：具有弯曲部分的金属板；形成在除了所述弯曲部分以外的所述金属板的面上的金刚石膜；以及安装在所述金属板上的金属构件。

公开(公告)号：CN1577718A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410071388.0

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野富男 ,  佐久间尚志 ,  酒井忠司 ,  铃木真理子 ,  吉田博昭

IPC: H01J61/12 ,  H01J61/067

CPC classification number: H01J65/00 ,  H01J61/04 ,  H01J61/12 ,  H01J61/545

Abstract: 提供一种放电灯，在该放电灯中，将二次电子发射效率较高且溅射率比较低的金刚石用作冷阴极。该放电灯包括：用放电气体填充的外壳、在外壳的内表面上设置的荧光膜和使得外壳内发生放电的一对电极。在各电极的表面上设置金刚石构件，并且，放电气体中包含比率不少于0.002％且不多于12.5％的氧气。

公开(公告)号：CN104851920A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510071076.8

申请日：2015-02-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃木真理子 ,  酒井忠司

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/872 ,  H01L21/041 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体装置以及其制造方法，实施方式的半导体装置具备：p型的第一金刚石半导体层；表面被氧终端后的p型的第二金刚石半导体层，配置于第一金刚石半导体层上，且p型杂质浓度比第一金刚石半导体层的p型杂质浓度低；表面被氧终端后的多个n型的第三金刚石半导体层，配置于第二金刚石半导体层上；以及第一电极，配置于第二金刚石半导体层上以及第三金刚石半导体层上，且与第二金刚石半导体层形成第一接合，与第三金刚石半导体层形成第二接合，第一接合与第二接合为肖特基结。

公开(公告)号：CN101037767A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086288.9

申请日：2007-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉田博昭 ,  柳瀬勇 ,  小野富男 ,  佐久间尚志 ,  铃木真理子 ,  酒井忠司

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52

CPC classification number: C30B29/04 ,  C30B25/105 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645

Abstract: 一种金刚石膜形成方法，包括：在低于650℃的温度，在至少包括碳和氢气的第一混合气体中，在金属材料(101)和半导体材料(102)的混合体中，在金属材料(103)的表面上形成金刚石晶核(103)，并且在低于750℃的温度，在至少包括碳和氢气的第二混合气体中，使形成在所述混合体中的金刚石晶核(103)生长以形成金刚石膜(104)。