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公开(公告)号：CN101038900A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088535.9
申请日：2007-03-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种散热器包括由绝缘金刚石形成的基座部分和由绝缘金刚石形成并设置在基座部分上的多个压接件。
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公开(公告)号：CN1921065A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610115424.8
申请日：2006-08-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J61/06
CPC classification number: H01J61/0672 , H01J9/022 , H01J61/0675 , H01J61/72
Abstract: 一种用于放电灯的冷阴极包括：具有弯曲部分的金属板；形成在除了所述弯曲部分以外的所述金属板的面上的金刚石膜；以及安装在所述金属板上的金属构件。
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公开(公告)号：CN1577718A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071388.0
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J61/12 , H01J61/067
CPC classification number: H01J65/00 , H01J61/04 , H01J61/12 , H01J61/545
Abstract: 提供一种放电灯，在该放电灯中，将二次电子发射效率较高且溅射率比较低的金刚石用作冷阴极。该放电灯包括：用放电气体填充的外壳、在外壳的内表面上设置的荧光膜和使得外壳内发生放电的一对电极。在各电极的表面上设置金刚石构件，并且，放电气体中包含比率不少于0.002％且不多于12.5％的氧气。
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公开(公告)号：CN1909142A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108357.7
申请日：2006-08-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置，其可稳定地发射电子，并且尽管施加低电压，也能实现电子的高输出。该电子发射装置具有：构成放电单元的一面的室内阴极；与室内阴极相对配置的金刚石隔壁；通过被配置在室内阴极与金刚石隔壁的第1面之间而形成密封空间的绝缘体；被封入密封空间内惰性气体；被配置成隔着真空，与金刚石隔壁的第1面的反对面、即第2面相对配置的放电阳极；第1电源在室内阴极与金刚石隔壁之间，把金刚石隔壁作为阳极侧来施加电压的第1电源；和在金刚石隔壁与放电阳极之间，把放电阳极作为阳极侧来施加电压的第2电源。
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公开(公告)号：CN1577717A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058700.2
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J61/067 , H01J61/06 , H01J1/13 , H01J9/04
CPC classification number: H01J9/042 , H01J1/15 , H01J61/0677 , H01J61/0737
Abstract: 本发明涉及放电电极、放电灯以及用于制造放电电极的方法，其中具体公开了一种向放电气体中发射电子的放电电极，其包括发射体和配置为向发射体提供电流的电流供应端。发射体包括在300K下带隙为2.2eV或更宽的宽带隙半导体。在宽带隙半导体中掺杂受主杂质原子和施主杂质原子，施主杂质原子的活化能比受主杂质原子的活化能更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100350547C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410071388.0
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J61/12 , H01J61/067
CPC classification number: H01J65/00 , H01J61/04 , H01J61/12 , H01J61/545
Abstract: 提供一种放电灯，在该放电灯中，将二次电子发射效率较高且溅射率比较低的金刚石用作冷阴极。该放电灯包括：用放电气体填充的外壳、在外壳的内表面上设置的荧光膜和使得外壳内发生放电的一对电极。在各电极的表面上设置金刚石构件，并且，放电气体中包含比率不少于0.002%且不多于12.5%的氧气。
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公开(公告)号：CN1316549C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410058700.2
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J61/067 , H01J61/06 , H01J1/13 , H01J9/04
CPC classification number: H01J9/042 , H01J1/15 , H01J61/0677 , H01J61/0737
Abstract: 本发明涉及放电电极、放电灯以及用于制造放电电极的方法，其中具体公开了一种向放电气体中发射电子的放电电极，其包括发射体和配置为向发射体提供电流的电流供应端。发射体包括在300K下带隙为2.2eV或更宽的宽带隙半导体。在宽带隙半导体中掺杂受主杂质原子和施主杂质原子，施主杂质原子的活化能比受主杂质原子的活化能更大。
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公开(公告)号：CN101037767A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710086288.9
申请日：2007-03-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C16/27 , C23C16/513 , C23C16/52
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/105 , H01L21/02381 , H01L21/02425 , H01L21/02444 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02645
Abstract: 一种金刚石膜形成方法，包括：在低于650℃的温度，在至少包括碳和氢气的第一混合气体中，在金属材料(101)和半导体材料(102)的混合体中，在金属材料(103)的表面上形成金刚石晶核(103)，并且在低于750℃的温度，在至少包括碳和氢气的第二混合气体中，使形成在所述混合体中的金刚石晶核(103)生长以形成金刚石膜(104)。
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