发明授权
- 专利标题: 纳米晶体金刚石薄膜、其制造方法及使用纳米晶体金刚石薄膜的装置
- 专利标题(英): Nanocrystal diamond film, process for producing the same and apparatus using nanocrystal diamond film
-
申请号: CN200480043161.3申请日: 2004-05-27
-
公开(公告)号: CN1957116B公开(公告)日: 2010-04-28
- 发明人: 蒲生秀典 , 安藤寿浩
- 申请人: 凸版印刷株式会社 , 独立行政法人物质·材料研究机构
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 凸版印刷株式会社,独立行政法人物质·材料研究机构
- 当前专利权人: 凸版印刷株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 程大军
- 国际申请: PCT/JP2004/007642 2004.05.27
- 国际公布: WO2005/116306 JA 2005.12.08
- 进入国家日期: 2006-11-27
- 主分类号: C30B29/04
- IPC分类号: C30B29/04 ; C30B25/02 ; C23C16/27
摘要:
一种在基体上合成的纳米晶体金刚石薄膜,该薄膜包含晶粒直径为1nm~小于1000nm的纳米晶体金刚石作为其主要成分。可以使用含有烃和氢的原料气体通过等离子体CVD方法在基体上形成纳米晶体金刚石薄膜,使纳米晶体金刚石薄膜的形成发生在等离子体区域的外面。该纳米晶体金刚石薄膜可用于制造电化学器件、电化学电极、DNA芯片、有机场致发光器件、有机光电接收器件、有机薄膜晶体管、冷电子发射器件、燃料电池和催化剂。
公开/授权文献
- CN1957116A 纳米晶体金刚石薄膜、其制造方法及使用纳米晶体金刚石薄膜的装置 公开/授权日:2007-05-02
IPC分类: