发明授权
- 专利标题: 超晶格的制造和使用
- 专利标题(英): Fabrication and use of superlattice
-
申请号: CN200580017198.3申请日: 2005-03-30
-
公开(公告)号: CN1961259B公开(公告)日: 2010-06-16
- 发明人: P·科尼洛维奇 , P·马蒂洛维奇 , J·斯塔斯亚克 , N·希鲁科瓦鲁
- 申请人: 惠普开发有限公司
- 申请人地址: 美国德克萨斯州
- 专利权人: 惠普开发有限公司
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 美国德克萨斯州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 曾祥夌; 王忠忠
- 优先权: 10/817,729 2004.04.02 US
- 国际申请: PCT/US2005/011129 2005.03.30
- 国际公布: WO2005/096351 EN 2005.10.13
- 进入国家日期: 2006-11-27
- 主分类号: G03F7/00
- IPC分类号: G03F7/00 ; H01L21/00
摘要:
本公开涉及用于制造和使用超晶格1600的系统和方法。可通过在脊902上设置交替的材料层1302和1304以及除去一些交替的层来让边缘1504和1506曝光来制造超晶格1600。这些暴露的边缘1504和1506的长度和曲率几乎是任意的。可以用这些边缘1504和1506来制造纳米级宽度的弯曲线1902。
公开/授权文献
- CN1961259A 超晶格的制造和使用 公开/授权日:2007-05-09