发明公开
CN1971797A 射频微机电系统开关及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 射频微机电系统开关及其制造方法
- 专利标题(英): RF mems switch and the method for producing the same
-
申请号: CN200610149262.X申请日: 2006-11-21
-
公开(公告)号: CN1971797A公开(公告)日: 2007-05-30
- 发明人: 金钟硕 , 权相旭 , 金东均 , 金载兴 , 李相勋 , 洪荣泽 , 李昌承 , 宋寅相
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波
- 优先权: 111380/05 2005.11.21 KR
- 主分类号: H01H57/00
- IPC分类号: H01H57/00 ; H01H49/00
摘要:
本发明公开了一种RF MEMS开关及其制造方法,其中RF MEMS器件利用压电效应在低电压下向下驱动。该RF MEMS开关包括提供有RF信号线和凹腔的衬底、位于凹腔上且一端固定到所述衬底的悬臂、及当所述悬臂向下驱动时接触所述RF信号线而使所述RF信号线与所述悬臂连接的接触焊盘。
公开/授权文献
- CN1971797B 射频微机电系统开关及其制造方法 公开/授权日:2010-06-16