-
公开(公告)号:CN111091042B
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN201911010875.9
申请日:2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06V40/13
Abstract: 提供了可变形指纹识别设备和使用该可变形指纹识别设备的指纹认证方法以及电子装置。可变形指纹识别设备可以包括:指纹传感器,被配置为形状能够变形;以及应变传感器,设置在指纹传感器的表面上以测量指纹传感器的变形分布。可变形指纹识别设备可以通过反映应变传感器测量的指纹传感器的变形分布来识别用户指纹。可变形指纹识别设备可以包括多个第一像素区域以检测用户指纹,并且应变传感器可以包括多个第二像素区域以测量指纹传感器的变形分布。
-
-
公开(公告)号:CN110032289A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201811462967.6
申请日:2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种触摸指纹复合传感器及其操作方法以及包括触摸指纹复合传感器的电子装置。触摸指纹复合传感器可以包括在触摸板中沿第一方向延伸的多个第一电极,以及沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极。多个第一电极可以包括以规则的间隔布置的多个第一触摸电极,以及多个第一触摸电极中的相邻第一触摸电极之间的多个第一子电极。多个第二电极可以包括以规则的间隔布置的多个第二触摸电极,以及多个第二触摸电极中的相邻第二触摸电极之间的多个第二子电极。多个第一触摸电极可以包括第一单元组,所述第一单元组包括电极,并且多个第一子电极中的至少一个可以布置在第一单元组的电极中的相邻电极之间。
-
公开(公告)号:CN107526484A
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201710455931.4
申请日:2017-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/0416 , G06K9/0002 , G06K9/0008 , G06F2203/04111
Abstract: 触摸传感器包括多个第一电极、多个第二电极和电容测量器,其被配置为测量所述多个第一电极和所述多个第二电极之间的互电容。第一电极中的每个包括多个环形图案。
-
公开(公告)号:CN105975644A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201510454318.1
申请日:2015-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5072 , G03F1/36 , G03F1/70 , G06F17/5068 , G06F17/5081
Abstract: 本发明涉及一种设计半导体集成电路的方法。该方法包括:将半导体集成电路的衬底的设计区分隔为单元块,其中邻近的各单元块之间的距离可以大于或等于由半导体集成电路的设计规则定义的最小距离,以提供分离的单元块;在分离的单元块中设计半导体集成电路的布局;以及对各个分离的单元块中的每一个单独着色。
-
公开(公告)号:CN102006540B
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201010230193.1
申请日:2010-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04R17/00 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2440/07
Abstract: 本发明提供一种具有活塞膈膜的压电微扬声器及其制造方法。该压电微扬声器包括:基板,具有形成在其中的腔室;振动膜,设置在基板上并至少覆盖腔室的中心部分;压电致动器,设置在振动膜上,从而使振动膜振动;以及活塞隔膜,设置在腔室中并通过振动膜的振动进行活塞运动。当振动膜由于压电致动器而振动时,通过活塞杆连接到振动膜的活塞隔膜在腔室中进行活塞运动。
-
公开(公告)号:CN101686423B
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN200910127339.7
申请日:2009-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04R17/00 , H04R2201/003
Abstract: 本发明提供了一种压电式微型扬声器及其制造方法。在所述压电式微型扬声器中,振动膜被分为第一区域和第二区域。第一区域可以由能够最大化激振力的材料形成,第二区域可由初始应力和杨氏模量小于第一区域的初始应力和杨氏模量的材料形成。因此,可以改善振动膜的变形效率,使得输出声压级增加。
-
-
公开(公告)号:CN1971797A
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN200610149262.X
申请日:2006-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01P1/127 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , Y10T29/49002 , Y10T29/49016 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明公开了一种RF MEMS开关及其制造方法,其中RF MEMS器件利用压电效应在低电压下向下驱动。该RF MEMS开关包括提供有RF信号线和凹腔的衬底、位于凹腔上且一端固定到所述衬底的悬臂、及当所述悬臂向下驱动时接触所述RF信号线而使所述RF信号线与所述悬臂连接的接触焊盘。
-
-
-
-
-
-
-
-
-