发明公开
CN1971885A 半导体元件以及半导体元件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体元件以及半导体元件的制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor element and method for manufacturing the same
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申请号: CN200610160578.9申请日: 2006-11-23
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公开(公告)号: CN1971885A公开(公告)日: 2007-05-30
- 发明人: 斋藤晓
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权: 2005-337912 2005.11.23 JP
- 主分类号: H01L21/84
- IPC分类号: H01L21/84 ; H01L21/762 ; H01L21/336 ; H01L27/12 ; H01L29/786
摘要:
本发明旨在提供能够抑制漏电流的产生且在可使用玻璃衬底的温度下执行元件隔离来制造细小元件的方法。本发明包括以下步骤:第一步骤,在玻璃衬底上形成基底膜;第二步骤,在基底膜上形成半导体膜;第三步骤,在半导体膜上按预定的图案形成防止该半导体膜的氧化或氮化的膜;第四步骤,在玻璃衬底处于比该玻璃衬底的应变点低100℃以上的温度下,对半导体膜的不被预定的图案所覆盖的区域执行自由基氧化或自由基氮化而进行元件隔离,其中,自由基氧化或自由基氮化在如下条件的等离子体处理室内被执行:在和等离子体产生区域离开而配置的半导体膜上,电子温度为0.5eV至1.5eV,优选为1.0eV或更低,电子密度为1×1011cm-3至1×1013cm-3。
公开/授权文献
- CN1971885B 半导体元件以及半导体元件的制造方法 公开/授权日:2011-03-09