- 专利标题： 包括金属绝缘体金属电容器的集成电路及其制造方法
- 专利标题（英）： Integrated circuit devices including metal-insulator-metal capacitors and methods of fabricating the same
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申请号： CN200610143564.6申请日： 2006-11-13
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公开(公告)号： CN1992261B公开(公告)日： 2010-06-23
- 发明人: 权大振 , 朴廷珉 , 元皙俊 , 宋珉宇 , 金元洪 , 金柱然
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 优先权： 108305/05 2005.11.12 KR
- 主分类号： H01L27/00
- IPC分类号： H01L27/00 ; H01L27/02 ; H01L27/108 ; H01L21/82 ; H01L21/8242 ; H01L21/02 ; H01L21/285
摘要：
本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。
公开/授权文献
- CN1992261A 包括金属绝缘体金属电容器的集成电路及其制造方法 公开/授权日：2007-07-04