Invention Publication
CN1992369A 半导体器件以及半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件以及半导体器件的制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and manufacturing method thereof
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Application No.: CN200610156237.4Application Date: 2006-12-27
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Publication No.: CN1992369APublication Date: 2007-07-04
- Inventor: 加藤清 , 斋藤利彦 , 高野圭惠
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 王永刚
- Priority: 2005-376626 2005.12.27 JP
- Main IPC: H01L51/00
- IPC: H01L51/00 ; G11C13/02

Abstract:
本发明的目的在于提供一种具有更高功能和可靠性的存储元件的半导体器件、以及一种技术即以低成本及高成品率制造所述半导体器件而不会使工艺和器件复杂化。作为存储元件的形状,使用如下形状:其周边具有凹凸部的矩形;具有一个或多个弯曲部分的“之”字形形状;梳齿形;以及其内部具有开口(空间)的环形等。此外,还可以使用长边和短边的比率大的长方形、长径和短径的比率大的椭圆形等。
Public/Granted literature
- CN1992369B 半导体器件以及半导体器件的制造方法 Public/Granted day:2012-10-03
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IPC分类: