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公开(公告)号：CN111542883B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201880083912.6
申请日：2018-12-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C14/00 , G11C11/405 , H10B12/00 , H10D30/67
Abstract: 提供一种新颖的存储装置。本发明是一种包括配置为行列状的多个存储单元的存储装置，各存储单元包括晶体管及电容器。晶体管包括具有隔着半导体层彼此重叠的区域的第一栅极及第二栅极。存储装置具有以“写入模式”、“读出模式”、“刷新模式”及“NV模式”工作的功能。在“刷新模式”中，在读出存储单元所保持的数据之后，以第一时间将数据再次写入到该存储单元。在“NV模式”中，在读出存储单元所储存的数据之后，以第二时间将数据再次写入到该存储单元，然后对第二栅极供应将晶体管变为关闭状态的电位。通过以“NV模式”工作，即使停止向存储单元的供电，也可以长期间储存数据。可以将多值数据储存在存储单元中。
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公开(公告)号：CN118633362A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202380019699.3
申请日：2023-01-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括具有晶体管及电容器的存储单元、第一绝缘体以及第一绝缘体上的第二绝缘体，晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、氧化物上的第三绝缘体以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体及第三导电体配置在第二绝缘体所包括的第一开口中，电容器包括与第二导电体的顶面接触的第四导电体、第四导电体上的第四绝缘体及第四绝缘体上的第五导电体，第四导电体、第四绝缘体及第五导电体配置在第二绝缘体所包括的第二开口中，所述第一绝缘体、所述第二绝缘体及所述第一导电体中形成有第三开口，第三开口中配置有第六导电体，第六导电体包括与多个层的每一个所包括的第一导电体的顶面的一部分及侧面的一部分接触的区域。
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公开(公告)号：CN118591879A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018330.0
申请日：2023-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的电子装置或半导体装置。电子装置包括第一导电体、第二导电体、第一绝缘体、第二绝缘体以及连接电极。第一绝缘体设置在第一导电体上并包括与第一导电体重叠的第一开口。第二导电体设置在第一绝缘体上并包括与第一导电体重叠的第二开口。第二绝缘体设置在第二导电体上并包括与第一导电体重叠的第三开口。第二开口具有宽度比第三开口小的部分。连接电极位于第一开口的内部、第二开口的内部及第三开口的内部并与第一导电体的顶面接触。连接电极具有与第二导电体的顶面的一部分及侧面的一部分接触的区域。
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公开(公告)号：CN118402329A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082899.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：晶体管；以及电容器，其中，晶体管包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；配置在第一导电体及第二导电体上且具有第一开口及第二开口的第一绝缘体；第一绝缘体的第一开口内的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三导电体，第一绝缘体所具有的第一开口具有与氧化物重叠的区域，第三导电体具有隔着第二绝缘体与氧化物重叠的区域，电容器包括第二导电体、第一绝缘体的第二开口内的第三绝缘体及第三绝缘体上的第四导电体，并且，在从晶体管的沟道长度方向的截面看时，第一导电体与第二导电体之间的距离小于第一开口的宽度。
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公开(公告)号：CN118160023A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071494.5
申请日：2022-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09F9/30 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10K59/00 , G11C11/405 , H01L29/786 , H10K50/00
Abstract: 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括第一层及第一层上的第二层。第一层包括功能电路。第二层包括具有多个像素的显示部及具有多个存储单元的存储部。多个像素分别包括像素电路及像素电路上的发光元件。功能电路包括显示部驱动电路及控制电路。存储部具有储存通过显示部驱动电路输出到显示部的图像数据的功能。存储单元包括用来保持对应于图像数据的电位的第一晶体管及用来读出电位的第二晶体管，第一晶体管设置在第二层中，第二晶体管设置在第一层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117980986A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280063264.4
申请日：2022-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种多功能的显示装置或电子设备。提供一种可切换VR显示和AR显示的电子设备。电子设备包括第一显示装置、第二显示装置、透镜、屏幕、穿戴构件及框体。穿戴构件具有将框体固定于头部的功能。框体具有变形至闭合以遮蔽视野的第一形态以及打开以能看到前方的第二形态的功能。另外，电子设备具有在第一形态中通过透镜及屏幕提供显示在第一显示装置上的第一图像的功能以及在第二形态中提供从第二显示装置投影到屏幕的第二图像的功能。
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公开(公告)号：CN116782639A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310772146.7
申请日：2017-01-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L27/06 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。
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公开(公告)号：CN110178213B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201880006056.4
申请日：2018-01-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 减少具有备份功能的存储单元的面积。存储装置包括单元阵列、用来驱动单元阵列的行电路及列电路。单元阵列包括第一电源线、第二电源线、字线、位线对、存储单元及备份电路。单元阵列设置在能够进行电源门控的电源定域中。在单元阵列的电源门控序列中，存储单元的数据备份在备份电路中。备份电路层叠在存储单元的形成区域上。备份电路与存储单元之间设置有多个布线层。第一电源线、第二电源线、字线及位线对设置在彼此不同的布线层中。
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公开(公告)号：CN111656512A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980010121.5
申请日：2019-01-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖存储装置以及新颖半导体装置。一种在控制电路的上方层叠设置有包括多个存储单元的单元阵列的存储装置，单元阵列按每多个块工作。另外，在控制电路和单元阵列之间包括多个电极。电极设置于每块并与块重叠地设置，各块的电极的电位可以不同。电极被用作包括在存储单元中的晶体管的背栅极，在各块电极的电位不同时，可以改变包括在存储单元中的晶体管的电特性。另外，电极可以降低在控制电路中产生的噪声。
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公开(公告)号：CN105702631B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610231158.9
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C11/402 , G11C11/405
CPC classification number: H01L27/105 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , H01L21/84 , H01L27/108 , H01L27/11517 , H01L27/1156 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/13
Abstract: 本发明的半导体器件，包括源极线、位线、第一信号线、第二信号线、字线、并联连接在该源极线和位线之间的存储单元、电连接至该源极线和位线的第一驱动器电路、电连接至第一信号线的第二驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、以及电连接至字线的第四驱动器电路。该存储单元包括包含第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管，包含第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管、以及电容器。第二晶体管包括氧化物半导体材料。
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