实用新型
CN201270249Y 一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件
- 专利标题(英): Silicon base imaging device for enhancing ultraviolet response based on inorganic material
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申请号: CN200820152199.X申请日: 2008-08-21
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公开(公告)号: CN201270249Y公开(公告)日: 2009-07-08
- 发明人: 刘猛 , 张大伟 , 田鑫 , 倪争技 , 黄元申 , 庄松林
- 申请人: 上海理工大学
- 申请人地址: 上海市军工路516号
- 专利权人: 上海理工大学
- 当前专利权人: 上海理工大学
- 当前专利权人地址: 上海市军工路516号
- 代理机构: 上海东创专利代理事务所
- 代理商 宁芝华
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146 ; H01L27/148 ; H01L31/09 ; H01L31/0232
摘要:
一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件,其特征在于:在光电器件光敏面基片的光入射面镀一层可将紫外辐射转换为可见光的Zn2SiO4:Mn膜层;与硅基成像器件光敏面基片致密结合。该膜层将紫外光转化为可见光;所述的Zn2SiO4:Mn膜层,Zn2SiO4和Mn的质量比为Zn2SiO4∶Mn=100∶2.4。本实用新型所制备的硅基成像器件紫外响应无机薄膜具有较好的转化效率,其发射峰值波长为525nm,恰好在CCD等探测器的最敏感响应波段;无机变频薄膜克服了随时间衰减老化的问题,能够有效增强硅基成像器件对紫外光的敏感度。
IPC分类: