一种晶体管及晶体管的散热装置
摘要:
本实用新型公开了一种晶体管及晶体管的散热装置,包括:半导体生长基底、晶体管工作部件和半导体热电效应装置,半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属薄膜、金属层、导热层、热电偶导热装置、供电臂和散热层,晶体管工作部件生长在半导体生长基底的一表面上,半导体化合物层生长在半导体生长基底的与生长晶体管工作部件的表面相对的表面上,金属薄膜生长在半导体化合物层上,金属层生长在金属薄膜上,导热层生长在金属层上,热电偶导热装置和供电臂相连接,均生长在导热层上,散热层生长在热电偶导热装置的远离导热层的表面上。本实用新型能够将晶体管的热快速导出并散发出去,能够显著的提高功放管及其周围器件的可靠性。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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