实用新型
CN203118955U 一种晶体管及晶体管的散热装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种晶体管及晶体管的散热装置
- 专利标题(英): Transistor and heat dissipating device thereof
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申请号: CN201220704433.1申请日: 2012-12-19
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公开(公告)号: CN203118955U公开(公告)日: 2013-08-07
- 发明人: 王大朋 , 赵志勇 , 曾武 , 穆学禄 , 宗柏青 , 崔亦军
- 申请人: 中兴通讯股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部
- 专利权人: 中兴通讯股份有限公司
- 当前专利权人: 中兴通讯股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部
- 代理机构: 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理商 王磊; 龙洪
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L23/38
摘要:
本实用新型公开了一种晶体管及晶体管的散热装置,包括:半导体生长基底、晶体管工作部件和半导体热电效应装置,半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属薄膜、金属层、导热层、热电偶导热装置、供电臂和散热层,晶体管工作部件生长在半导体生长基底的一表面上,半导体化合物层生长在半导体生长基底的与生长晶体管工作部件的表面相对的表面上,金属薄膜生长在半导体化合物层上,金属层生长在金属薄膜上,导热层生长在金属层上,热电偶导热装置和供电臂相连接,均生长在导热层上,散热层生长在热电偶导热装置的远离导热层的表面上。本实用新型能够将晶体管的热快速导出并散发出去,能够显著的提高功放管及其周围器件的可靠性。
IPC分类: