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公开(公告)号：CN101790226A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910261754.1
申请日：2009-12-29
申请人： 中兴通讯股份有限公司
IPC分类号： H04W52/06
摘要： 本发明公开了一种无线通信系统中的功放电压调整方法和装置，涉及无线通信技术，通过获取当前功率控制周期的功率控制等级，并根据功率控制等级和功放电压值的对应关系表，确定当前功率控制周期功放的电压值，并根据所确定的电压值进行调整，由于功率控制等级和功放电压值的对应关系表是根据功放效率较高的经验值设定的，所以将功放的电压值调整为当前功率控制等级所对应的电压值时，功放可以以较高的效率工作。
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公开(公告)号：CN101790226B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200910261754.1
申请日：2009-12-29
申请人： 中兴通讯股份有限公司
IPC分类号： H04W52/06
摘要： 本发明公开了一种无线通信系统中的功放电压调整方法和装置，涉及无线通信技术，通过获取当前功率控制周期的功率控制等级，并根据功率控制等级和功放电压值的对应关系表，确定当前功率控制周期功放的电压值，并根据所确定的电压值进行调整，由于功率控制等级和功放电压值的对应关系表是根据功放效率较高的经验值设定的，所以将功放的电压值调整为当前功率控制等级所对应的电压值时，功放可以以较高的效率工作。
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公开(公告)号：CN103887339B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201210592156.4
申请日：2012-12-19
申请人： 中兴通讯股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/38 , H01L21/336
摘要： 一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法。本发明公开一种晶体管，包括：半导体生长基底和半导体热电效应装置，半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属层、导热层、热电偶导热装置和散热层，半导体化合物层生长在半导体生长基底上，金属层生长在半导体化合物层上，导热层生长在金属层上，热电偶导热装置生长在导热层上，散热层生长在与导热层相对的热电偶导热装置的另一面上，热电偶导热装置还包含供电臂，供电臂生长在导热层上，与热电偶导热装置电连接。综上所述，本发明能够将晶体管的热快速导出并散发出去，能够显著的提高功放管及其周围器件的可靠性，对高温下功放的性能指标也会有很大改善，同时能提升设备的使用寿命，提高竞争力。
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公开(公告)号：CN101500298B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200810057414.2
申请日：2008-02-01
申请人： 中兴通讯股份有限公司
CPC分类号： Y02D70/122
摘要： 本发明公开了一种降低GSM基站功耗的方法，包括步骤有：设置GSM基站的工作模式；GSM基站运行时，根据所述GSM基站的工作模式生成和发送功放偏置开关控制信号；根据所述功放偏置开关控制信号开启或关断功放。相应地，本发明还提供一种GSM基站功耗降低装置，所述装置包括：GSM基站的工作模式设置模块，用于设置GSM基站的工作模式；功放偏置开关控制信号生成和发送模块，用于根据所述GSM基站的工作模式生成和发送功放偏置开关控制信号；功放电源开关，用于根据所述功放偏置开关控制信号开启或关断功放。借此，本发明可以实时降低基站功耗和功耗降低幅度大，并且易于实现。
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公开(公告)号：CN101500298A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810057414.2
申请日：2008-02-01
申请人： 中兴通讯股份有限公司
CPC分类号： Y02D70/122
摘要： 本发明公开了一种降低GSM基站功耗的方法，包括步骤有：设置GSM基站的工作模式；GSM基站运行时，根据所述GSM基站的工作模式生成和发送功放偏置开关控制信号；根据所述功放偏置开关控制信号开启或关断功放。相应地，本发明还提供一种GSM基站功耗降低装置，所述装置包括：GSM基站的工作模式设置模块，用于设置GSM基站的工作模式；功放偏置开关控制信号生成和发送模块，用于根据所述GSM基站的工作模式生成和发送功放偏置开关控制信号；功放电源开关，用于根据所述功放偏置开关控制信号开启或关断功放。借此，本发明可以实时降低基站功耗和功耗降低幅度大，并且易于实现。
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公开(公告)号：CN115588833A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110758249.9
申请日：2021-07-05
申请人： 中兴通讯股份有限公司
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明实施例涉及微波元器件设计技术领域，公开了一种内层带状功分器电路，包括多层电路板以及设置在所述多层电路板上的第一功分器，所述第一功分器包括：功分器主体，设置在所述多层电路板的内层，所述功分器主体包括一个输入端口、与所述输入端口相连的传输线、以及与所述传输线相连的两个输出端口；隔离电阻，设置在所述多层电路板的表层；以及过孔，所述过孔贯穿所述多层电路板的至少两层导电金属层并将所述传输线电连接至所述隔离电阻。本发明实施例还提供一种功分器系统。本发明实施例提供的内层带状功分器电路以及功分器系统，能够兼顾加工方便、隔离度高的功分器设计需求。
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公开(公告)号：CN110661496A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810697837.4
申请日：2018-06-29
申请人： 中兴通讯股份有限公司
发明人： 曾武
IPC分类号： H03F1/52
摘要： 本申请公开了一种放大器偏置电压保护电路及电子设备，该电路包括：偏置电压参考源、电压隔离器、放大器、参考保护电压源和前向导通反向截止模块，其中，偏置电压参考源通过电压隔离器与所述放大器的偏置端连接，参考保护电压源通过前向导通反向截止模块与所述放大器的偏置端连接；当偏置电压参考源输出异常时，使所述放大器的偏置电压钳制在预设的电压范围内，通过电路结构上的改进，将放大器的偏置电压钳制在预设的电压范围内，具有电路简单易于实现，可靠性高，占用面积小以及成本低廉的优点。对于布局约束多、面积紧张的微波、毫米波电路具有很大的实用性。
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公开(公告)号：CN103887339A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210592156.4
申请日：2012-12-19
申请人： 中兴通讯股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/38 , H01L21/336
CPC分类号： H01L23/38 , H01L21/4871 , H01L23/34 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L23/49844 , H01L29/78 , H01L35/32 , H01L35/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法。本发明公开一种晶体管，包括：半导体生长基底和半导体热电效应装置，半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属层、导热层、热电偶导热装置和散热层，半导体化合物层生长在半导体生长基底上，金属层生长在半导体化合物层上，导热层生长在金属层上，热电偶导热装置生长在导热层上，散热层生长在与导热层相对的热电偶导热装置的另一面上，热电偶导热装置还包含供电臂，供电臂生长在导热层上，与热电偶导热装置电连接。综上所述，本发明能够将晶体管的热快速导出并散发出去，能够显著的提高功放管及其周围器件的可靠性，对高温下功放的性能指标也会有很大改善，同时能提升设备的使用寿命，提高竞争力。
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公开(公告)号：CN203118955U
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201220704433.1
申请日：2012-12-19
申请人： 中兴通讯股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种晶体管及晶体管的散热装置，包括：半导体生长基底、晶体管工作部件和半导体热电效应装置，半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属薄膜、金属层、导热层、热电偶导热装置、供电臂和散热层，晶体管工作部件生长在半导体生长基底的一表面上，半导体化合物层生长在半导体生长基底的与生长晶体管工作部件的表面相对的表面上，金属薄膜生长在半导体化合物层上，金属层生长在金属薄膜上，导热层生长在金属层上，热电偶导热装置和供电臂相连接，均生长在导热层上，散热层生长在热电偶导热装置的远离导热层的表面上。本实用新型能够将晶体管的热快速导出并散发出去，能够显著的提高功放管及其周围器件的可靠性。
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