实用新型
CN206076275U 镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置
- 专利标题(英): Gallium element evenly distributed's copper indium gallium selenium film absorbed layer preparation facilities
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申请号: CN201621048854.8申请日: 2016-09-10
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公开(公告)号: CN206076275U公开(公告)日: 2017-04-05
- 发明人: 张晓清 , 汤勇 , 黄云翔 , 陆龙生 , 袁伟 , 万珍平 , 李宗涛
- 申请人: 华南理工大学
- 申请人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 专利权人: 华南理工大学
- 当前专利权人: 华南理工大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 代理机构: 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 何淑珍
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
本实用新型公开了镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置。装置包括位于硒化炉腔内的样品托架、样品加热台、分流板、坩埚、坩埚加热器和硒颗粒;铜铟镓合金预制层样品的两端放置在样品托架上,样品加热台位于铜铟镓合金预制层样品上方,样品托架下方设有坩埚和坩埚加热器,坩埚内装有所述硒颗粒,坩埚上方开口设有供硒蒸汽穿过的分流板,分流板位于铜铟镓合金预制层样品下方;硒化炉腔的一侧壁设有抽气系统,与抽气系统相对的硒化炉腔另一侧壁设有进气系统。本实用新型制备的铜铟镓硒薄膜其成分中各元素特别是镓元素分布均匀;制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池转换效率大大提高。
IPC分类: