实用新型
- 专利标题: 一种磷化铟单晶生长炉
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申请号: CN201721587711.9申请日: 2017-11-24
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公开(公告)号: CN207525375U公开(公告)日: 2018-06-22
- 发明人: 肖祥江 , 囤国超 , 吕春富 , 任洋 , 叶晓达 , 董汝昆 , 杨嗣文 , 梁鹏
- 申请人: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 专利权人: 云南鑫耀半导体材料有限公司,云南中科鑫圆晶体材料有限公司,昆明云锗高新技术有限公司
- 当前专利权人: 云南鑫耀半导体材料有限公司,云南中科鑫圆晶体材料有限公司,昆明云锗高新技术有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 代理机构: 昆明祥和知识产权代理有限公司
- 代理商 和琳
- 主分类号: C30B29/40
- IPC分类号: C30B29/40 ; C30B11/00
摘要:
一种磷化铟单晶生长炉,涉及新材料制备技术领域,尤其是一种磷化铟单晶生长炉,该生长炉包括冷却循环系统、加热保温系统和支撑系统;所述冷却循环系统包括腔体、氮气盖和冷却循环水管,所述的腔体顶端和底端均设置有氮气盖,腔体外侧缠绕有冷却循环水管;所述的加热保温系统包括外壳、保温材料、电阻丝和炉膛,外壳包裹在炉膛外侧,保温材料填充在外壳与炉膛之间,电阻丝缠绕在炉膛外侧;加热保温系统下端设置有支撑系统,加热保温系统通过支撑系统支撑在腔体底端的氮气盖上。本实用新型的一种磷化铟单晶生长针对磷化铟单晶生长特点,结构设计合理,能灵活有效地控制磷化铟生长温度和炉内压强,从而保证磷化铟单晶质量。
IPC分类: