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公开(公告)号：CN118600549A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410739465.2
申请日：2024-06-07
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成系统通过对高温熔体施加磁场，在电磁力的作用下强化熔体流动，达到搅拌熔体的目的，无需额外干预。该合成方法通过梯度式凝固，提高晶体完整性。
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公开(公告)号：CN114959887B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210606746.1
申请日：2022-05-31
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，涉及碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状，至少为一块设置在长晶坩埚中，籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm，余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法，相比较传统的余料使用方法或处理工艺，有良好的效果：一是，余料用于再次长晶，避免了资源的浪费，降低了长晶成本；二是，处理的流程较为简单，不容易在处理过程中引入新的杂质；三是，生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。
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公开(公告)号：CN114990697B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210506067.7
申请日：2022-05-10
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
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公开(公告)号：CN116908133A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310514361.7
申请日：2023-05-09
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： G01N21/3563 , G01N21/3554
摘要： 基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法，属于Ⅲ‑Ⅴ族化合物单晶技术领域，具体涉及Ge、GaAs、InP、GaP、InAs、GaSb等晶体生长用三氧化二硼水含量的检测方法。本发明的检测方法，包括氮气吹扫样品室、采集背景、放置三氧化二硼于支撑底座上、导入背景、采集样品、根据峰面积计算水含量等步骤。本发明通过红外吸收带的波数位置、吸收峰的面积等来鉴定三氧化二硼的水含量，具有用量少、分析速度快、不破坏样品等特点。有效监控三氧化二硼的水含量，有利于生长晶体，使晶体表面光滑、单晶率提高。
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公开(公告)号：CN114622272B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210196199.4
申请日：2022-03-01
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
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公开(公告)号：CN116555911A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310385188.5
申请日：2023-04-12
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 磷化铟碎片制备多晶的方法，涉及半导体材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟回料制备磷化铟多晶的方法。本发明的方法包括碎片处理、装料入炉、多晶制备及冷却出炉4个步骤。本发明的方法简便易操作，可用现有的高压VGF炉直接制备磷化铟多晶，碎片利用率高，所制备多晶纯度高，达到继续生长单晶的要求，缩减了资源循环利用流程，提高了磷化铟废料的利用率，具有可观的经济效益。
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公开(公告)号：CN116544107A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310428695.2
申请日：2023-04-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种用于N型锗衬底的碱性抛光方法，包括以下步骤：S1，在相对恒定的环境下对晶片背面进行贴膜；S2，用碱性粗抛液对晶片进行粗抛处理；S3，用硫酸和去离子水清洗晶片、并甩干；S4，用碱性精抛液对晶片进行精抛处理；S5，用去离子水冲洗晶片；S6，将精抛后的晶片甩干。该方法能降低化学品的消耗量，且针对性地对锗N型半导体衬底提高抛光、清洗结果的合格率以及晶片表面的均匀性。
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公开(公告)号：CN112176398B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011139769.3
申请日：2020-10-22
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法，属于半导体材料技术领域，包括炉体外壁、保温层,保温层内包括生长段和炉芯段，生长段横向设置有数组热电偶，每组的两个热电偶测温点对称设置于坩埚两侧，炉芯段纵向设置有数个热电偶，炉芯段第一热电偶其测温点与籽晶段底部平行，第二热电偶其测温点为坩埚的放肩处，第三热电偶其测温点为坩埚转肩处的中部，第三热电偶为热电偶族，从转肩处中部横向形成一个圆形截面，沿其边缘等分设置不少于6个热点偶，本发明通过晶体生长热电偶的损坏情况和成晶情况合理安装热电偶，使得炉膛的使用寿命增加，减少维修次数，避免了由于单一热电偶损坏造成晶体报废，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114990697A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210506067.7
申请日：2022-05-10
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
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公开(公告)号：CN114959887A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210606746.1
申请日：2022-05-31
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，涉及碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状，至少为一块设置在长晶坩埚中，籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm，余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法，相比较传统的余料使用方法或处理工艺，有良好的效果：一是，余料用于再次长晶，避免了资源的浪费，降低了长晶成本；二是，处理的流程较为简单，不容易在处理过程中引入新的杂质；三是，生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。
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