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公开(公告)号：CN107932760A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711394683.3
申请日：2017-12-21
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
CPC分类号： B28D5/02 , B28D5/0076 , B28D5/0082
摘要： 一种立式多晶棒料切割机，涉及多晶棒料加工领域，尤其是一种立式多晶棒料切割机，其特征在于，该切割机包括操作台和支撑机架，操作台内部设置有夹持部和切割部；所述的切割部包括刀片、转轴、环形垫块、六角螺栓、传动轴和电机；所述的夹持部分别对称设置在刀片两侧，所述的夹持部包括夹持块、滑道、紧固条、紧固螺丝和支撑块。本发明的一种立式多晶棒料切割机，结构设计科学合理，使用成本价格低廉，有利于提高企业经济效益，与现有普通切割机相比，具有在切割多晶棒料时损耗低、安全性高，便于收集切割时的残渣，保证工作环保的清洁度，同时提高切割效率高，能方便、快速地切割不同尺寸的多晶棒料，适用范围广。
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公开(公告)号：CN106057645A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610438124.7
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02096
摘要： 本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，特别涉及锗单晶抛光片的一种清洗方法。本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：(1)SPM清洗：用浓度95％～98％浓硫酸和浓度30％～32％过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液；(2) SOM清洗：将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95％～98％浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中；(3)APM清洗：将步骤(2)清洗后的锗抛光片放入浓度28％～30％氨水、30％～32％过氧化氢及去离子水按照体积比为1:2:15混合的清洗液中清洗。在不破坏锗抛光片表面的情况下，能够有效去除其表面颗粒、金属、有机物，获得高洁净且生长有薄而均匀的氧化层的表面，达到免清洗(Epi‑ready)的要求。
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公开(公告)号：CN105937052B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105937052A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B33/10
CPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105887195A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610439088.6
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
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公开(公告)号：CN205688056U
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201620518771.4
申请日：2016-06-01
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： VGF锗单晶生长炉支撑底座，涉及一种底座，尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成；底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间，活动块拼接在底板侧面，底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔，底板中间设置散热孔，两根细圆棒通过U型卡槽固定在散热孔的两侧。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下，也能固定好石英棒与测温热电偶，且安装方便，使用简单，稳固性好，散热性好，实用性高，适合用在不同尺寸的VGF炉中。
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公开(公告)号：CN207468775U
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201721587953.8
申请日：2017-11-24
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，涉及磷化铟单晶生长制备技术领域，尤其是一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，其特征在于该系统包括单晶炉、氮气瓶、机械泵、减压阀和截止阀，单晶炉与氮气瓶和机械泵分别通过管道进行连通，所述的减压阀设置在单晶炉与氮气瓶连通的管道上，靠近单晶炉、氮气瓶和机械泵的管道上分别设置有截止阀。本实用新型的一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，设计科学，结构合理，通过机械泵与单晶炉连接结构，保证了单晶炉在充入氮气前，炉内的真空度达到所需标准，能有效改善磷化铟单晶的质量，有效降低氮气充入单晶炉内时压强，以便于控制单晶炉内的压强差，防止石英管发生爆炸，进而降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN207711096U
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201721803530.5
申请日：2017-12-21
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 一种立式多晶棒料切割机，涉及多晶棒料加工领域，尤其是一种立式多晶棒料切割机，其特征在于，该切割机包括操作台和支撑机架，操作台内部设置有夹持部和切割部；所述的切割部包括刀片、转轴、环形垫块、六角螺栓、传动轴和电机；所述的夹持部分别对称设置在刀片两侧，所述的夹持部包括夹持块、滑道、紧固条、紧固螺丝和支撑块。本实用新型的一种立式多晶棒料切割机，结构设计科学合理，使用成本价格低廉，有利于提高企业经济效益，与现有普通切割机相比，具有在切割多晶棒料时损耗低、安全性高，便于收集切割时的残渣，保证工作环保的清洁度，同时提高切割效率高，能方便、快速地切割不同尺寸的多晶棒料，适用范围广。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205723474U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620672887.3
申请日：2016-06-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种洁净室用晶片清洗工作台，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净室用晶片清洗工作台，该工作台是一个柜体，该柜体分为上中下三个部分，上部为空气循环系统，中部为工作区域，下部是一个支撑台。本实用新型的一种洁净室用晶片清洗工作台，设计科学，使用方便，把清洗窗口、甩干窗口及验片窗口整合在同一操作台上，实现了在及时排出清洗晶片产生的有害气体的同时，减少了晶片再次受到沾污的机会，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN207525375U
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201721587711.9
申请日：2017-11-24
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 一种磷化铟单晶生长炉，涉及新材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟单晶生长炉，该生长炉包括冷却循环系统、加热保温系统和支撑系统；所述冷却循环系统包括腔体、氮气盖和冷却循环水管，所述的腔体顶端和底端均设置有氮气盖，腔体外侧缠绕有冷却循环水管；所述的加热保温系统包括外壳、保温材料、电阻丝和炉膛，外壳包裹在炉膛外侧，保温材料填充在外壳与炉膛之间，电阻丝缠绕在炉膛外侧；加热保温系统下端设置有支撑系统，加热保温系统通过支撑系统支撑在腔体底端的氮气盖上。本实用新型的一种磷化铟单晶生长针对磷化铟单晶生长特点，结构设计合理，能灵活有效地控制磷化铟生长温度和炉内压强，从而保证磷化铟单晶质量。
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