实用新型
- 专利标题: 一种硅片立式上料机构
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申请号: CN202020577999.7申请日: 2020-04-17
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公开(公告)号: CN213111381U公开(公告)日: 2021-05-04
- 发明人: 靳立辉 , 杨骅 , 耿名强 , 赵晓光 , 尹擎 , 杜晨朋
- 申请人: 天津环博科技有限责任公司
- 申请人地址: 天津市滨海新区高新区华苑产业区华科大街1号
- 专利权人: 天津环博科技有限责任公司
- 当前专利权人: 天津环博科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 天津市滨海新区高新区华苑产业区华科大街1号
- 代理机构: 天津企兴智财知识产权代理有限公司
- 代理商 苏冲
- 主分类号: B65G47/52
- IPC分类号: B65G47/52 ; B65G47/74
摘要:
本实用新型提供了一种硅片立式上料机构,通过架体设置在水池上,包括一级上料机构、二级上料机构、硅片弹夹;所述硅片弹夹和一级上料机构设置在水面以下,硅片弹夹的硅片出口与一级上料机构相邻;所述二级上料为轮状结构,与架体转动连接,上部位于水面以上;所述一级上料机构竖直设置,位于轮状结构的切线方向,上端部与二级上料机构相邻;所述一级上料机构用于吸附硅片弹夹中的硅片并上传至二级上料机构;所述二级上料机构用于将硅片由竖直状态翻转成水平状态,进入下一工序的输送带。本实用新型所述的一种硅片立式上料机构,压片机构与一级上料机构和二级上料机构配合,可以很好的完成硅片的立式上料,上料效果更好。
IPC分类: