本实用新型公开了一种SIC压力敏感器件，其特征在于：包括敏感芯片及衬底玻璃，所述敏感芯片包括n‑p‑n型SIC材料的基体，所述基体由上至下包括器件层、过渡层、SIC衬底；在敏感芯片的器件层上方设置有SI面，在SIC衬底下方设置有C面；在器件层上设置有由器件层加工而成的四个敏感电阻、封接区、连接区，四个敏感电阻连接后构成惠斯通电桥；敏感电阻与过渡层之间通过PN结隔离；在封接区上设置有金属电极，金属电极通过封接区、连接区与敏感电阻相连接；在SIC衬底上设置有压力敏感膜片和凹形敏感芯片杯体；敏感芯片通过SI面或C面与衬底玻璃封接配合。本实用新型结构稳定性好，适用范围广，还具有高精度、高稳定，高可靠、适用各种恶劣环境使用的特点。