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公开(公告)号：CN110823422A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911288464.6
申请日：2019-12-16
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种工艺简单，可靠性高的PN结压阻式扩散硅压力传感器及制作方法，属于微电子技术领域。该方法是将经过清洗的抛光片，依次经过外延、氧化、光刻、刻蚀等工艺按照一定的组合制作出的一种工艺简单，成本低的PN结压阻式扩散硅压力传感器；其中：外延需要精确控制其掺杂浓度与生长的厚度，作为器件层，代替传统的注入；氧化层的目的是为了保护芯片：光刻和刻蚀是为了必要的器件制作。采用本发明方法可以降低现有的工艺/设计难度，减少工艺步骤，降可靠性高，可应用于PN结压阻式扩散硅压力传感器的制备以及SOI压力传感器的制备。
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公开(公告)号：CN112362203A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011425174.4
申请日：2020-12-09
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 一种适应多种封装方式的高温压力传感器芯片及制造方法，特别涉及高温压力传感器领域。本发明在绝缘层上设有四个压敏电阻，四个压敏电阻由微通道相互隔离，且四个压敏电阻连接构成惠斯通电桥；四个压敏电阻与绝缘层通过钝化层覆盖；避免高温环境下电阻之间漏电流增大导致的芯片失效。芯片表面增加封接区，通过封接工艺把芯片和上封接玻璃连接，保障芯片敏感电阻和外部环境的气密性隔离；设计封接连通区，使得整个大片上多个器件实现电连接，保障实施静电封接工艺时外加电场的均匀分布，提高封接后芯片的成品率。该芯片可适应多种封装方式，通过上面封接玻璃或者下面封接玻璃及组合封接方式，具有广泛的适用性。
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公开(公告)号：CN113753848A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111019491.0
申请日：2021-09-01
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS芯片的低应力封装方法，属于微机械加工技术领域。该方法是将硅芯片和衬底硅片，依次进行化学液处理、热板烘干、等离子体处理、DIW清洗、硅片干燥、预键合、低温退火等工艺制作，实现MEMS硅芯片同质材料低应力封装。其中，化学液清洗主要是用SPM和RCA1溶液对硅片表面进行特定条件下的表面处理，使硅片具有亲水性并悬挂大量羟基；提出用O2和CF4混合气体等离子体激活芯片表面，且气流方向平行于硅片表面进行冲刷处理，增强了表面激活能，降低了粗糙度，形成易于消除界面空洞的多孔结构；DIW清洗及硅片干燥，使硅片表面脱水干燥且保持了适度的湿度，悬挂适于键合的烃基，形成良好的表面态；特定条件的预键合及分步退火，实现了满足MEMS芯片技术要求的低应力封装。
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公开(公告)号：CN113753848B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111019491.0
申请日：2021-09-01
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS芯片的低应力封装方法，属于微机械加工技术领域。该方法是将硅芯片和衬底硅片，依次进行化学液处理、热板烘干、等离子体处理、DIW清洗、硅片干燥、预键合、低温退火等工艺制作，实现MEMS硅芯片同质材料低应力封装。其中，化学液清洗主要是用SPM和RCA1溶液对硅片表面进行特定条件下的表面处理，使硅片具有亲水性并悬挂大量羟基；提出用O2和CF4混合气体等离子体激活芯片表面，且气流方向平行于硅片表面进行冲刷处理，增强了表面激活能，降低了粗糙度，形成易于消除界面空洞的多孔结构；DIW清洗及硅片干燥，使硅片表面脱水干燥且保持了适度的湿度，悬挂适于键合的烃基，形成良好的表面态；特定条件的预键合及分步退火，实现了满足MEMS芯片技术要求的低应力封装。
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公开(公告)号：CN113140638A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110288972.5
申请日：2021-03-18
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/84 , G01L1/18 , H01L21/306
摘要： 一种经济型硅压力传感器芯片及加工方法，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：该传感器芯片为背面受压，且用整体KOH腐蚀的方法，避免了传统方法各向异性腐蚀产生的斜坡，使硅片得到了更加有效的利用。在封接时选择正面封接，而电极从背面引出。该方法是将经清洗的抛光硅片，依次经氧化、光刻、刻蚀、退火，溅射金属等工艺的组合制备。本发明所制备的芯片，其传感器稳定和性能与传统的硅压力传感器无差别，但是其经济型很好，成本可以降低60%~80%，芯片尺寸降低70%‑90%，此外传感器的过载性能比传统的硅压力传感器可提升2‑8倍。
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公开(公告)号：CN210922903U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201922242488.X
申请日：2019-12-16
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种PN结压阻式扩散硅压力传感器，属于微电子技术领域；它包括有晶圆片，技术要点是：在晶圆片上分布有凸起的阻条器件及压焊点，在阻条器件的顶部还覆盖有电极，在晶圆片及压焊点的外表面还设置有一氧气层或氮化层。采用本结构可以降低现有的工艺/设计难度，减少工艺步骤，降可靠性高，可应用于PN结压阻式扩散硅压力传感器的制备以及SOI压力传感器的制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN213812675U
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202022921601.X
申请日：2020-12-09
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
摘要： 一种实现无引线封装的高温压力传感器芯片，特别涉及高温压力传感器领域。本实用新型在绝缘层上设有四个压敏电阻，四个压敏电阻由微通道相互隔离，且四个压敏电阻连接构成惠斯通电桥；四个压敏电阻与绝缘层通过钝化层覆盖；避免高温环境下电阻之间漏电流增大导致的芯片失效。芯片表面增加封接区，通过封接工艺把芯片和上封接玻璃连接，保障芯片敏感电阻和外部环境的气密性隔离；设计封接连通区，使得整个大片上多个器件实现电连接，保障实施静电封接工艺时外加电场的均匀分布，提高封接后芯片的成品率。该芯片可适应多种封装方式，通过上面封接玻璃或者下面封接玻璃及组合封接方式，具有广泛的适用性。
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公开(公告)号：CN218545980U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202222842578.4
申请日：2022-10-27
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
发明人： 李颖 , 任向阳 , 张治国 , 刘宏伟 , 祝永峰 , 贾文博 , 李永清 , 何方 , 张娜 , 李昌振 , 王卉如 , 钱薪竹 , 周聪 , 肖文英 , 刘柏汇 , 白雪松 , 关维冰 , 尹萍
IPC分类号： G01L9/02
摘要： 本实用新型公开了一种SIC压力敏感器件，其特征在于：包括敏感芯片及衬底玻璃，所述敏感芯片包括n‑p‑n型SIC材料的基体，所述基体由上至下包括器件层、过渡层、SIC衬底；在敏感芯片的器件层上方设置有SI面，在SIC衬底下方设置有C面；在器件层上设置有由器件层加工而成的四个敏感电阻、封接区、连接区，四个敏感电阻连接后构成惠斯通电桥；敏感电阻与过渡层之间通过PN结隔离；在封接区上设置有金属电极，金属电极通过封接区、连接区与敏感电阻相连接；在SIC衬底上设置有压力敏感膜片和凹形敏感芯片杯体；敏感芯片通过SI面或C面与衬底玻璃封接配合。本实用新型结构稳定性好，适用范围广，还具有高精度、高稳定，高可靠、适用各种恶劣环境使用的特点。
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