一种MEMS芯片自动控制清洗装置及控制清洗方法

    公开(公告)号:CN114985361A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210941656.8

    申请日:2022-08-08

    IPC分类号: B08B3/02 B08B3/14 C02F1/469

    摘要: 本发明属控制及测试装置领域,公开了一种MEMS芯片自动控制清洗装置及控制清洗方法,包括:采样检测组件及设置在所述采样检测组件上方的MEMS芯片架和喷淋清洗组件,与所述喷淋清洗组件入口连通的去离子水入口;还包括排水口、原子吸收分光光度仪和水箱,均与所述采样检测组件的底部出水口连通;所述喷淋清洗组件进水口、去离子水入口、所述水箱入口处和采样检测组件出水口处设有电磁阀和微型泵,所述电磁阀用于实现管路的通断,所述微型泵用于提供管路中介质在管路中移动的动能;与所述电磁阀和微型泵电连接的采集控制器;本发明通过对MEMS芯片腐蚀后清洗的自动控制及自动测试,大大提高MEMS芯片的清洗效果及清洗效率,提高了良品率,降低了生产成本。

    一种MEMS芯片的低应力封装方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113753848A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202111019491.0

    申请日:2021-09-01

    摘要: 本发明公开了一种MEMS芯片的低应力封装方法,属于微机械加工技术领域。该方法是将硅芯片和衬底硅片,依次进行化学液处理、热板烘干、等离子体处理、DIW清洗、硅片干燥、预键合、低温退火等工艺制作,实现MEMS硅芯片同质材料低应力封装。其中,化学液清洗主要是用SPM和RCA1溶液对硅片表面进行特定条件下的表面处理,使硅片具有亲水性并悬挂大量羟基;提出用O2和CF4混合气体等离子体激活芯片表面,且气流方向平行于硅片表面进行冲刷处理,增强了表面激活能,降低了粗糙度,形成易于消除界面空洞的多孔结构;DIW清洗及硅片干燥,使硅片表面脱水干燥且保持了适度的湿度,悬挂适于键合的烃基,形成良好的表面态;特定条件的预键合及分步退火,实现了满足MEMS芯片技术要求的低应力封装。

    经济型高精度硅压力传感器芯片及加工方法

    公开(公告)号:CN115615584A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211090511.8

    申请日:2022-09-07

    IPC分类号: G01L1/18

    摘要: 一种经济型高精度硅压力传感器芯片及加工方法,其结构包括硅膜片,电极,硅片层,技术要点是:在硅片层的上表面刻蚀有压力传感器的空腔,在硅片层及压力传感器空腔上部设置有一层感受压力的硅膜片,在硅膜片上嵌入有硅片注入层,在该硅片注入层上部还设置有电极,而成为敏感电阻及硅膜片‑腔体结构。技术要点是:该传感器芯片用直接硅硅键合技术,膜片采用了键合后减薄的方法,避免了传统芯片多数采用硅‑玻璃键合导致材料应力大的问题,也避免了KOH各向异性腐蚀带来的斜坡。该方法是将经清洗的抛光硅片,依次经氧化、光刻、刻蚀、退火,溅射金属、键合、硅片减薄等工艺的组合制备。本发明所制备的芯片,其精度及传感器的过载性能均有提高。

    适应多种封装方式的高温压力传感器芯片及制造方法

    公开(公告)号:CN112362203A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN202011425174.4

    申请日:2020-12-09

    摘要: 一种适应多种封装方式的高温压力传感器芯片及制造方法,特别涉及高温压力传感器领域。本发明在绝缘层上设有四个压敏电阻,四个压敏电阻由微通道相互隔离,且四个压敏电阻连接构成惠斯通电桥;四个压敏电阻与绝缘层通过钝化层覆盖;避免高温环境下电阻之间漏电流增大导致的芯片失效。芯片表面增加封接区,通过封接工艺把芯片和上封接玻璃连接,保障芯片敏感电阻和外部环境的气密性隔离;设计封接连通区,使得整个大片上多个器件实现电连接,保障实施静电封接工艺时外加电场的均匀分布,提高封接后芯片的成品率。该芯片可适应多种封装方式,通过上面封接玻璃或者下面封接玻璃及组合封接方式,具有广泛的适用性。

    一种PN结压阻式扩散硅压力传感器及制作方法

    公开(公告)号:CN110823422A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201911288464.6

    申请日:2019-12-16

    IPC分类号: G01L1/18 G01L9/06

    摘要: 本发明公开了一种工艺简单,可靠性高的PN结压阻式扩散硅压力传感器及制作方法,属于微电子技术领域。该方法是将经过清洗的抛光片,依次经过外延、氧化、光刻、刻蚀等工艺按照一定的组合制作出的一种工艺简单,成本低的PN结压阻式扩散硅压力传感器;其中:外延需要精确控制其掺杂浓度与生长的厚度,作为器件层,代替传统的注入;氧化层的目的是为了保护芯片:光刻和刻蚀是为了必要的器件制作。采用本发明方法可以降低现有的工艺/设计难度,减少工艺步骤,降可靠性高,可应用于PN结压阻式扩散硅压力传感器的制备以及SOI压力传感器的制备。

    一种SIC压力敏感器件的制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115697017A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211326212.X

    申请日:2022-10-27

    IPC分类号: H10N30/02 H10N30/08 H10N30/85

    摘要: 本发明提出了一种SIC压力敏感器件的制造方法。所述敏感器件由敏感芯片和衬底玻璃封接而成。敏感芯片基体的器件层上,采用淀积金属掩膜、光刻、刻蚀工艺制作敏感电阻、封接区及连接区,敏感电阻连接后构成惠斯通电桥,敏感电阻和过渡层之间采用PN结隔离结构,有效的避免了芯片不稳现象;敏感芯片电极采用Ni‑Au金属复合电极,确保敏感芯片的稳定性;敏感膜片采用激光加工或精密机械加工方式制作;将完成全部平面工艺制作的敏感芯片和衬底玻璃依次进行化学液处理、有机溶剂超声辅助键合处理、等离子体处理、特定条件的静电封装等步骤,最终形成敏感器件。本方案有效解决了现有技术中无法达到SIC敏感器件实用化的技术要求的问题。

    一种MEMS芯片自动控制清洗装置及控制清洗方法

    公开(公告)号:CN114985361B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202210941656.8

    申请日:2022-08-08

    IPC分类号: B08B3/02 B08B3/14 C02F1/469

    摘要: 本发明属控制及测试装置领域,公开了一种MEMS芯片自动控制清洗装置及控制清洗方法,包括:采样检测组件及设置在所述采样检测组件上方的MEMS芯片架和喷淋清洗组件,与所述喷淋清洗组件入口连通的去离子水入口;还包括排水口、原子吸收分光光度仪和水箱,均与所述采样检测组件的底部出水口连通;所述喷淋清洗组件进水口、去离子水入口、所述水箱入口处和采样检测组件出水口处设有电磁阀和微型泵,所述电磁阀用于实现管路的通断,所述微型泵用于提供管路中介质在管路中移动的动能;与所述电磁阀和微型泵电连接的采集控制器;本发明通过对MEMS芯片腐蚀后清洗的自动控制及自动测试,大大提高MEMS芯片的清洗效果及清洗效率,提高了良品率,降低了生产成本。