Ce transistor est réalisé à partir d'une structure classique comportant un substrat (21), une région de sous-collecteur (22) associée à une région de traversée de collecteur (24), une couche épitaxiale (20) servant de région de collecteur et une couche de base (26) et des murs d'isolement (23). Dans un mode préféré on forme une couche d'émetteur (27) sur la couche de base. Puis une couche de masquage (28) est formée sur la couche d'émetteur, elle definit une ouverture autour de la région destinée à constituer l'émetteur. Les parties exposées de la structure sont attaquées ce qui définit avec précision la région d'émetteur (27), et la région de base (26). On forme alors par implantation ionique la région de contact de base (32). Les régions d'émetteur, de base et de contact de base sont donc auto-alignées. La structure est passivée par les régions d'oxyde encastré (33). On forme enfin les contacts ohmiques nécessaires. Ce procédé permet l'obtention de transistors très rapides et à grande densité d'intégration utiles dans les applications aux calculateurs.