公开(公告)号：EP0004292A2

公开(公告)日：1979-10-03

申请号：EP79100546.5

申请日：1979-02-23

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Ning, Tak Hung ,  Yu, Hwa-Nien

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L21/033 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7325

摘要： Ce transistor est réalisé à partir d'une structure classique comportant un substrat (21), une région de sous-collecteur (22) associée à une région de traversée de collecteur (24), une couche épitaxiale (20) servant de région de collecteur et une couche de base (26) et des murs d'isolement (23). Dans un mode préféré on forme une couche d'émetteur (27) sur la couche de base. Puis une couche de masquage (28) est formée sur la couche d'émetteur, elle définit une ouverture autour de la région destinée à constituer l'émetteur. Les parties exposées de la structure sont attaquées ce qui définit avec précision la région d'émetteur (27), et la région de base (26). On forme alors par implantation ionique la région de contact de base (32). Les régions d'émetteur, de base et de contact de base sont donc auto-alignées. La structure est passivée par les régions d'oxyde encastré (33). On forme enfin les contacts ohmiques nécessaires. Ce procédé permet l'obtention de transistors très rapides et à grande densité d'intégration utiles dans les applications aux calculateurs.

摘要翻译： 此晶体管是从常规的结构，其包括与外延层的作为集电区和基极层（26）和绝缘集电极通道区（24）（20）相关联的基板（21），一个子集电极区域（22）而形成 壁（23）。 在一个优选实施方案，对发射极层（27）是形成在所述基底层上。 然后掩蔽层（28）形成在发射极层上; 它定义在用于构成发射极的区域周围开幕。 该结构的外露部分被攻击; 此精确地设定定义发射极区域（27）和基极区（26）。 然后离子注入用于形成基极接触区（32）。 发射极，基极和基极接触区自对准THUS。 结构由埋入的氧化（33）的区域钝化。 最后，所需的电阻接触形成。 这种方法可使制造具有高集成密度在计算机的应用程序是有用的非常快的晶体管。

公开(公告)号：EP0004292A3

公开(公告)日：1979-11-14

申请号：EP79100546

申请日：1979-02-23

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Ning, Tak Hung ,  Yu, Hwa-Nien

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L21/033 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7325

摘要： Ce transistor est réalisé à partir d'une structure classique comportant un substrat (21), une région de sous-collecteur (22) associée à une région de traversée de collecteur (24), une couche épitaxiale (20) servant de région de collecteur et une couche de base (26) et des murs d'isolement (23). Dans un mode préféré on forme une couche d'émetteur (27) sur la couche de base. Puis une couche de masquage (28) est formée sur la couche d'émetteur, elle definit une ouverture autour de la région destinée à constituer l'émetteur. Les parties exposées de la structure sont attaquées ce qui définit avec précision la région d'émetteur (27), et la région de base (26). On forme alors par implantation ionique la région de contact de base (32). Les régions d'émetteur, de base et de contact de base sont donc auto-alignées. La structure est passivée par les régions d'oxyde encastré (33). On forme enfin les contacts ohmiques nécessaires. Ce procédé permet l'obtention de transistors très rapides et à grande densité d'intégration utiles dans les applications aux calculateurs.

摘要翻译： 该晶体管由常规结构形成，该结构包括基板（21），与集电极通路区域（24）相关联的子集电极区域（22），用作集电极区域的外延层（20）和基极层（26） 墙壁（23）。 在优选实施例中，在基底层上形成发射极层（27）。 然后在发射极层上形成掩模层（28）; 它限定了旨在构成发射器的区域周围。 结构的暴露部分受到攻击; 这准确地限定了发射极区域（27）和基极区域（26）。 然后使用离子注入形成基底接触区域（32）。 因此，发射极，基极和基极接触区域是自对准的。 该结构被嵌入的氧化物区域钝化（33）。 最后，形成所需的电阻触点。 该方法允许生产具有高集成密度的非常快速的晶体管，其在计算机的应用中是有用的。