发明授权
- 专利标题： Monolithisch integrierbares NAND-Glied
- 专利标题（英）： Monolithically integratable nand-gate
- 专利标题（中）： 单一可整合的非门
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申请号： EP80100224.7申请日： 1980-01-17
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公开(公告)号： EP0014351B1公开(公告)日： 1982-09-01
- 发明人: Güntner, Helmut , Wittenzellner, Ernst, Dipl.-Ing.
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 优先权： DE2903659 19790131
- 主分类号： H03K19/086
- IPC分类号： H03K19/086 ; H03K19/092 ; H03K17/60 ; H03K17/30
公开/授权文献
- EP0014351A2 Monolithisch integrierbares NAND-Glied 公开/授权日：1980-08-20
信息查询
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