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EP0024679A1 Selektiver Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung des Verunreinigungsgehaltes von Luft auf der Basis von Metalloxidhalbleitern 失效
用于检测和测量空气中的金属氧化物半导体的基础上，杂质含量高的灵敏度和稳定性的选择性气体传感器。

  • 专利标题： Selektiver Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung des Verunreinigungsgehaltes von Luft auf der Basis von Metalloxidhalbleitern
  • 专利标题（英）： Selective gas sensor with great sensitivity and stability for determining and measuring the degree of air pollution on the basis of metal oxide semiconductors
  • 专利标题（中）： 用于检测和测量空气中的金属氧化物半导体的基础上，杂质含量高的灵敏度和稳定性的选择性气体传感器。
  • 申请号： EP80104928.9
    申请日： 1980-08-19
  • 公开(公告)号： EP0024679A1
    公开(公告)日： 1981-03-11
  • 发明人: Treitinger, Ludwig, Dr.
  • 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
  • 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
  • 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
  • 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
  • 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
  • 优先权： DE2933971 19790822
  • 主分类号： G01N27/12
  • IPC分类号： G01N27/12
Selektiver Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung des Verunreinigungsgehaltes von Luft auf der Basis von Metalloxidhalbleitern
摘要：
Die Erfindung betrifft einen Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung des Verunreinigungsgehaltes von Luft auf der Basis Metalloxid-Halbleiter, bei dem der elektrische Widerstand der Metalloxid-Halbleiterschicht in Abhängigkeit von der Art und der Konzentration der Luftverunreinigung gemessen wird. Die Erfindung besteht darin, daß die Metalloxid-Halbleiterschicht aus zwei Schichten besteht:

a) einer grob- bis einkristallinen Grundschicht (5, 13), deren Dicke der Raumladungszone angepaßt ist und
b) einer über der Grundschicht (5,13) angeordneten dünneren, amorphen Deckschicht (7, 14) aus einem, auf die zu detektierende Luftverunreinigung katalytisch wirkenden Material mit einem Leitwert, der bezüglich der Dicke dieser Deckschicht vernachlässigbar klein gegenüber dem Leitwert der Grundschicht (5, 13) ist.
摘要（中）：

1.高灵敏度和稳定性对于识别和测量存在于空气中的杂质，包括金属氧化物半导体材料的两个层，的选择性气体传感器，其中所述金属氧化物半导体层的电阻，所有这些依赖于类型 和空气污染的浓度，被测量，DASS a）所述的层中的一个的粗结晶的besteht到单晶碱性层（5，13），该厚度是angepasst空间电荷区的所有其电阻期间形成 测量; 和b）另一所述层的被由金属氧化物半导体材料的较薄的无定形覆盖层（7，14）形成的所有被选择雅丁到空气污染要被检测和其中有一个电导了因的， 该覆盖层（7，14）的非常小的厚度是与所述基本层（5,13）的电导比较小到可以忽略。

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