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发明公开
EP0076105A2 Method of producing a bipolar transistor 失效
制造双极晶体管的方法

  • 专利标题： Method of producing a bipolar transistor
  • 专利标题（中）： 制造双极晶体管的方法
  • 申请号： EP82305023.2
    申请日： 1982-09-23
  • 公开(公告)号： EP0076105A2
    公开(公告)日： 1983-04-06
  • 发明人: Goto, Hiroshi
  • 申请人： FUJITSU LIMITED
  • 申请人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
  • 专利权人： FUJITSU LIMITED
  • 当前专利权人： FUJITSU LIMITED
  • 当前专利权人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
  • 代理机构： George, Sidney Arthur (GB)
  • 优先权： JP151987/81 19810928
  • 主分类号： H01L21/00
  • IPC分类号： H01L21/00 ;  H01L21/76 ;  H01L29/08
Method of producing a bipolar transistor
摘要：
A method of producing a bipolar transistor comprises the steps of forming a base region (41), forming a high-melting-point metal layer (42) of a base electrode on the base region (41), forming a first insulating layer (43) on the metal layer (42), and selectively etching the first insulating layer (43) and the metal layer (42) to form an opening (45). A second insulating layer (46) is formed on the sides of the first insulating layer (43) and the metal layer (42) within the opening (45), the second insulating layer (46) defining an emitter-providing region. impurities are introduced into the base region (41) by using the second insulating layer (43) as a mask to form an emitter region (49). An emitter electrode (51) and the base electrode (42) are arranged in a like multilayer structure.
摘要（中）：

制造双极晶体管的方法包括以下步骤：形成基区（41）;在基区（41）上形成基极的高熔点金属层（42）;形成第一绝缘层（43） ）沉积在金属层（42）上，并选择性地蚀刻第一绝缘层（43）和金属层（42）以形成开口（45）。 在开口（45）内的第一绝缘层（43）和金属层（42）的侧面上形成第二绝缘层（46），第二绝缘层（46）限定发射极提供区。 通过使用第二绝缘层（43）作为掩模将杂质引入到基极区域（41）中以形成发射极区域（49）。 发射极电极（51）和基极电极（42）以类似的多层结构排列。

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