Method of manufacturing a semiconductor device comprising a diffusion step

发明授权

EP0109082B1 Method of manufacturing a semiconductor device comprising a diffusion step 失效

标题翻译：制造包含扩散步骤的半导体器件的方法

专利标题： Method of manufacturing a semiconductor device comprising a diffusion step
专利标题（中）： 制造包含扩散步骤的半导体器件的方法
申请号： EP83111366.7

申请日： 1983-11-14
公开(公告)号： EP0109082B1

公开(公告)日： 1990-09-12
发明人: Okabashi, Hidekazu , Morimoto, Mitsutaka , Nagasawa, Eiji
申请人： NEC CORPORATION
申请人地址： 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku Tokyo JP
专利权人： NEC CORPORATION
当前专利权人： NEC CORPORATION
当前专利权人地址： 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku Tokyo JP
代理机构： Glawe, Delfs, Moll & Partner
优先权： JP64085/83 19830412; JP70488/83 19830421; JP198570/82 19821112
主分类号： H01L21/225
IPC分类号： H01L21/225 ; H01L21/285 ; H01L21/60

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22	....杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225	.....应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层