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发明公开
EP0114540A1 Circuit de commande de la base d'un transistor de puissance utilisé en commutation à haute tension 失效
用于基本控制电路用于切换高电压功率晶体管。

  • 专利标题： Circuit de commande de la base d'un transistor de puissance utilisé en commutation à haute tension
  • 专利标题（英）： Control circuit for the base of a power transistor utilized in switching high voltages
  • 专利标题（中）： 用于基本控制电路用于切换高电压功率晶体管。
  • 申请号： EP83402351.7
    申请日： 1983-12-06
  • 公开(公告)号： EP0114540A1
    公开(公告)日： 1984-08-01
  • 发明人: Gaude, Maurice
  • 申请人： TELEMECANIQUE
  • 申请人地址： 43-45 boulevard Franklin Roosevelt F-92504 Rueil Malmaison Cedex FR
  • 专利权人： TELEMECANIQUE
  • 当前专利权人： TELEMECANIQUE
  • 当前专利权人地址： 43-45 boulevard Franklin Roosevelt F-92504 Rueil Malmaison Cedex FR
  • 代理机构： Marquer, Francis (FR)
  • 优先权： FR8220906 19821214
  • 主分类号： H03K17/04
  • IPC分类号： H03K17/04 ;  H03K17/08
Circuit de commande de la base d'un transistor de puissance utilisé en commutation à haute tension
摘要：
Un premier transistor (T 2 ) est branché entre l'enroulement secondaire d'un transformateur d'impulsions (TC) et la base du transistor à commander. Un second et un troisième transistors (T 3 , T 4 ) sont montés en bascule à mémoire à désarmement dominant ; le troisième transistor (T 4 ) assure la mise en conduction du premier (T 2 ) pendant la durée des impulsions de commande, à condition que le second (T 3 ) ne soit pas à l'état conducteur. Le second transistor (T 3 ) joue par ailleurs le rôle d'un comparateur et est associé à des moyens (R 16 , R 15 , R 14 , R 13 , CTN) de prélever une tension représentative du courant débité par le transistor de puissance et de comparer ladite tension à sa tension base-émetteur. Un circuit résistance-capacité (R 17 - C 2 ) est agencé pour fournir une polarisation négative une fois que la capacité (C 2 ) a été chargée par le courant des impulsions et est associé à un quatrième transistor (T B ) agencé pour appliquer ladite polarisation négative à la base du transistor de puissance pendant lesdits intervalles.
摘要（英）：

A first transistor (T 2) is connected between the secondary winding of a pulse transformer (TC) and the base of the transistor to be controlled. Second and third transistors (T 3, T 4) are mounted rocking disarmament memory dominant; the third transistor (T 4) ensures the conduction of the first (T 2) for the duration of the control pulses, provided that the second (T 3) is not in the conductive state. The second transistor (T 3) also plays the role of a comparator and is associated with means (R 16, R 15, R 14, R 13, CTN) to collect a voltage representative of the current delivered by the power transistor and comparing said voltage with its base-emitter voltage. A resistor-capacitor circuit (R 17 - C 2) is arranged to provide a negative bias when the capacitance (C 2) was charged by current pulses and is associated with a fourth transistor (T B) arranged to apply said negative bias to the base of the power transistor during said intervals.

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