发明授权
EP0123309B1 Verfahren zum Herstellen von stabilen, niederohmigen Kontakten in integrierten Halbleiterschaltungen
失效
在集成半导体电路中生产稳定，低OHMIC触点的方法
- 专利标题： Verfahren zum Herstellen von stabilen, niederohmigen Kontakten in integrierten Halbleiterschaltungen
- 专利标题（英）： Method of producing stable, low ohmic contacts in integrated semiconductor circuits
- 专利标题（中）： 在集成半导体电路中生产稳定，低OHMIC触点的方法
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申请号： EP84104577.6申请日： 1984-04-24
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公开(公告)号： EP0123309B1公开(公告)日： 1990-06-27
- 发明人: Widmann, Dietrich, Dr.-Ing. , Sigusch, Reiner Dipl.-Ing. (FH)
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 优先权： DE3314879 19830425
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L23/48
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