发明公开
EP0141088A2 Halbleiter-Bauelement mit einem Heisse-Elektronen-Transistor
失效
Halbleiter-Bauelement mit einem Heisse-Elektronen晶体管。
- 专利标题： Halbleiter-Bauelement mit einem Heisse-Elektronen-Transistor
- 专利标题（英）： Semiconductor device with a hot electron transistor
- 专利标题（中）： Halbleiter-Bauelement mit einem Heisse-Elektronen晶体管。
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申请号： EP84109644.9申请日： 1984-08-13
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公开(公告)号： EP0141088A2公开(公告)日： 1985-05-15
- 发明人: Schmitt-Landsiedel, Doris Dipl.-Ing. Dipl.-Phys. , Dorda, Gerhard, Dr.
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 优先权： DE3330011 19830819
- 主分类号： H01L29/08
- IPC分类号： H01L29/08
摘要：
Halbleiter-Bauelement mit einem Heiße-Elektronen-Transistor des Tunnelemissionstyps, der eine Emitterschicht, eine erste Isolatorschicht, eine metallische oder metallisch leitende Basisschicht und eine Kollektorschicht aufweist. Angestrebt wird eine Ausgestaltung des Bauelements, die in einfacher Weise herstellbar ist. Das wird dadurch erreicht, daß die Emitterschicht aus einer Inversionsschicht (16) besteht, die im Kanalbereich (4) eines auf einem Halbleiterkörper (1) integrierten Feldeffekttransistors zwischen dessen Source-und Draingebiet (2,3) aufgebaut ist, wobei die Basisschicht (5) wenigstens einen Teil der Gateelektrode des Feldeffekttransistors darstellt und die Kollektorschicht aus einer metallischen oder metallisch leitenden Schicht (8) und einer zwischen dieser und der Bassisschicht (5) befindlichen, zweiten Isolatorschicht (7) besteht. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltkreise.
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