公开(公告)号：EP0139946A3

公开(公告)日：1987-05-06

申请号：EP84109634

申请日：1984-08-13

申请人： Siemens Aktiengesellschaft

发明人： Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7606 ,  G11C11/34

摘要： Halbleiter-Bauelement mit einem Heiße-Elektronen- Transistor des Tunnelemissionstyps, der eine Emitter schicht, eine Isolatorschicht, eine metallische oder metallisch leitende Basisschicht und eine Kollektorschicht aufweist. Angestrebt wird eine Ausgstaltung des Bauelements, die in einfacher Weise hergestellt werden kann. Das wird dadurch erreicht, daß die Emitterschicht aus einer Inversionsschicht (16) besteht, die im Kanalbereich (4) eines auf einem Halb leiterkörper integrierten Feldeffekttransistors zwischen dessen Source- und Draingebiet (2, 3) aufgebaut ist, wobei die Basisschicht (5) wenigstens einen Teil der Gateelektrode des Feldeffekttransistors darstellt. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltkreise.

公开(公告)号：EP0135139A2

公开(公告)日：1985-03-27

申请号：EP84109643.1

申请日：1984-08-13

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Schmitt-Landsiedel, Doris Dipl.-Ing., Dipl.-Phys. ,  Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H03K3/288

CPC分类号： H03K3/288 ,  Y10S257/903

摘要： Integrierte JK-Flipflop-Schaltung mit zwei kreuzgekoppelten Invertern. die jeweils aus einem Transistor (T1, T2) und einem zu diesem in Serie geschalteten Widerstandselement (R1, R2) bestehen. Zusätzliche Schaltelemente verbinden die Flipflopeingänge mit den kreuzgekoppelten Invertern. Angestrebt wird die Realisierung der Flipflop-Schaltung auf einer möglichst kleinen Halbleiterfläche. Das wird dadurch erreicht, daß die Transistoren (T1, T2) der Inverter als Heiße-Elektronen-Transistoren ausgebildet sind, wobei jeder von ihnen mit einem der zusätzlichen Schaltelemente, das als Feldeffekttransistor realisiert ist, zu einem gemeinsamen Bauelement zusammengefaßt ist, das zwei Transistorfunktionen übernimmt, aber nur die Fläche eines Feldeffekttransistors benötigt. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltkreise.

摘要翻译： 具有两个交叉耦合反相器每个由晶体管（T1，T2）和一个串联的电阻元件（R1，R2）切换到其集成JK触发器电路制成。 附加开关元件与所述交叉耦合反相器连接Flipflopeingänge。 触发器电路到尽可能小的硅面积的实现寻求。 这得以实现，所述晶体管（T1，T2）被作为热电子晶体管反相器构成，它们中的每与附加开关元件中的一个，其被实现为场效应晶体管以形成共同的部件一起，这两个晶体管的功能 接受，但只需要一个场效应晶体管的区域中。 该应用包括高度集成的电路。

公开(公告)号：EP0141088A2

公开(公告)日：1985-05-15

申请号：EP84109644.9

申请日：1984-08-13

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Schmitt-Landsiedel, Doris Dipl.-Ing. Dipl.-Phys. ,  Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7606 ,  G11C11/34

摘要： Halbleiter-Bauelement mit einem Heiße-Elektronen-Transistor des Tunnelemissionstyps, der eine Emitterschicht, eine erste Isolatorschicht, eine metallische oder metallisch leitende Basisschicht und eine Kollektorschicht aufweist. Angestrebt wird eine Ausgestaltung des Bauelements, die in einfacher Weise herstellbar ist. Das wird dadurch erreicht, daß die Emitterschicht aus einer Inversionsschicht (16) besteht, die im Kanalbereich (4) eines auf einem Halbleiterkörper (1) integrierten Feldeffekttransistors zwischen dessen Source-und Draingebiet (2,3) aufgebaut ist, wobei die Basisschicht (5) wenigstens einen Teil der Gateelektrode des Feldeffekttransistors darstellt und die Kollektorschicht aus einer metallischen oder metallisch leitenden Schicht (8) und einer zwischen dieser und der Bassisschicht (5) befindlichen, zweiten Isolatorschicht (7) besteht. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltkreise.

摘要翻译： 具有发射极层，第一绝缘体层，金属或金属导电基极层和集电极层的半导体器件。 目的是设计设备，以便以简单的方式生产。 实现这一点的是，发射极层由在反射层（16）构成，反型层（16）构成在集成在半导体本体（1）上的场效应晶体管的沟道区（4）中，源极和漏极区之间 2，3），所述基极层（5）是所述场效应晶体管的栅电极的至少一部分，并且所述集电极层由金属或金属导电层（8）和第二绝缘体层（7）组成，所述第二绝缘体层 在层（8）和基层（5）之间。 应用领域是高度集成的开关电路。

公开(公告)号：EP0135137A2

公开(公告)日：1985-03-27

申请号：EP84109636.5

申请日：1984-08-13

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Schmitt-Landsiedel, Doris, Dipl.-Ing., Dipl.-Phys. ,  Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H01L29/08 ,  G11C11/40

CPC分类号： G11C11/412 ,  H01L29/7606

摘要： Statische Speicherzelle mit zwei kreuzgekoppelten Invertern, die jeweils aus einem Feldeffekttransistor (T1, T2) und einem zu diesem in Serie geschalteten Widerstandselement (R1, R2) bestehen. Dabei ist jeder Schaltungsknoten (3, 5) über ein zusätzliches Schaltelement mit einer zugeordneten Bitleitung (BL, BL) beschaltet. Angestrebt wird die Realisierung der Speicherzelle auf einer möglichst kleinen Halbleiterfläche und eine kurze Zugriffszeit. Erreicht wird das durch die Ausbildung der zusätzlichen Schaltelemente als Heiße-Elektronen-Transistoren, die jeweils mit einem der Feldeffekttransistoren zu einem gemeinsamen Bauelement zusammengefaßt werdne, das nur die Fläche eines Feldeffekttransistors benötigt. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Halbleiterspeicher.

摘要翻译： 具有两个交叉耦合的反相器中的静态存储单元中，每个由一个场效晶体管（T1，T2）和串联的电阻元件（R1，R2）的开关于此制成。 通过附加的开关元件与布线相关联的位线（BL，BL），每个电路节点（3，5）。 存储器单元到尽可能小的半导体表面和短的访问时间的实现寻求。 这是通过附加的开关元件的形成达到作为提高传输与所述场效应晶体管中的一个相结合的热电子晶体管，以形成需要一个场效应晶体管的唯一的区域的公共组件。 该应用包括高度集成的半导体存储器。

公开(公告)号：EP0141088A3

公开(公告)日：1987-05-06

申请号：EP84109644

申请日：1984-08-13

申请人： Siemens Aktiengesellschaft

发明人： Schmitt-Landsiedel, Doris Dipl.-Ing. Dipl.-Phys. ,  Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7606 ,  G11C11/34

摘要： Halbleiter-Bauelement mit einem Heiße-Elektronen- Transistor des Tunnelemissionstyps, der eine Emitterschicht, eine erste Isolatorschicht, eine metallische oder metallisch leitende Basisschicht und eine Kollektorschicht aufweist. Angestrebt wird eine Ausgestaltung des Bauelements, die in einfacher Weise herstellbar ist. Das wird dadurch erreicht, daß die Emitterschicht aus einer Inversionsschicht (16) bes teht, die im Kanalbereich (4) eines auf einem Halbleiterkörper (1) integrierten Feldeffekttransistors zwischen dessen Source- und Draingebiet (2, 3) aufgebaut ist, wobei die Basisschicht (5) wenigstens einen Teil der Gateelektrode des Feldeffekttran sistors darstellt und die Kollektorschicht aus einer metalli schen oder metallisch leitenden Schicht (8) und einer zwis chen dieser und der Bassisschicht (5) befindlichen, zweiten Isolatorschicht (7) besteht. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltkreise.

公开(公告)号：EP0135137A3

公开(公告)日：1987-04-29

申请号：EP84109636

申请日：1984-08-13

申请人： Siemens Aktiengesellschaft

发明人： Schmitt-Landsiedel, Doris, Dipl.-Ing., Dipl.-Phys. ,  Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H01L29/08 ,  G11C11/40

CPC分类号： G11C11/412 ,  H01L29/7606

摘要： Statische Speicherzelle mit zwei kreuzgekoppelten Inver tern, die jeweils aus einem Feldeffekttransistor (T1, T2) und einem zu diesem in Serie geschalteten Widerstandselement (R1, R2) bestehen. Dabei ist jeder Schaltungsknoten (3, 5) über ein zusätzliches Schaltelement mit einer zugeordneten Bitleitung (BL,
B
L) beschaltet. Angestrebt wird die Realisie rung der Speicherzelle auf einer möglichst kleinen Halbleiter fläche und eine kurze Zugriffszeit. Erreicht wird das durch die Ausbildung der zusätzlichen Schaltelemente als Heiße- Elektronen-Transistoren, die jeweils mit einem der Feld effekttransistoren zu einem gemeinsamen Bauelement zu sammengefaßt werdne, das nur die Fläche eines Feldeffekt transistors benötigt. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Halbleiterspeicher.

公开(公告)号：EP0135136A2

公开(公告)日：1985-03-27

申请号：EP84109633.2

申请日：1984-08-13

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Schmitt-Landsiedel, Doris, Dipl.-Ing., Dipl.-Phys. ,  Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H03K3/356

CPC分类号： H03K3/356017

摘要： Integrierte RS-Flipflop-Schaltung mit zwei kreuzgekoppelten Invertern, die jeweils aus einem Feldeffekttransistor (T1, T2) und einem in Serie geschalteten Widerstandselement (R1, R2) bestehen. Jeder Feldeffekttransistor ist mit einem zusätzlichen Schaltelement (T3, T4) verbunden, dessen Steuereingang den R- bzw. S-Eingang darstellt. Angestrebt wird eine Realisierung der Flipflopschaltung auf einer möglichst kleinen Halbleiterfläche. Das wird erreicht durch eine Ausbildung der zusätzlichen Schaltelemente (T3, T4) als Heiße-Elektronen-Transistoren, von denen jeder mit einem der Feldeffekttransistoren (T1, T2) zu einem gemeinsamen Bauelement i5, 6) zusammengefaßt wird, das zwei Transistorfunktionen übernimmt, aber nur die Fläche eines Feldeffektransistors benötigt. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltungskreise.

摘要翻译： 集成RS触发器电路具有两个交叉耦合反相器，由一个场效应晶体管的每个（T1，T2）和一个串联连接的电阻元件（R1，R2）的制成。 每个场效应晶体管连接到一个附加的开关元件（T3，T4），其控制输入是R-或S-输入。 的目的是为了实现最小的可能的半导体表面上的触发器。 这是通过一个形成附加开关元件（T3，T4）概括为一种热电子晶体管，每一个与所述场效应晶体管中的一个（T1，T2），以共同的部件（5,6），它在两个晶体管的功能来实现， 但需要一个场效应晶体管的唯一的区域。 该应用包括高度集成的开关电路。

公开(公告)号：EP0135136A3

公开(公告)日：1987-05-06

申请号：EP84109633

申请日：1984-08-13

申请人： Siemens Aktiengesellschaft

发明人： Schmitt-Landsiedel, Doris, Dipl.-Ing., Dipl.-Phys. ,  Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H03K03/356

CPC分类号： H03K3/356017

摘要： Integrierte RS-Flipflop-Schaltung mit zwei kreuzgekop pelten Invertern, die jeweils aus einem Feldeffekttransistor (T1, T2) und einem in Serie geschalteten Widerstandsele ment (R1, R2) bestehen. Jeder Feldeffekttransistor ist mit einem zusätzlichen Schaltelement (T3, T4) verbunden, des sen Steuereingang den R- bzw. S-Eingang darstellt. Ange strebt wird eine Realisierung der Flipflopschaltung auf einer möglichst kleinen Halbleiterfläche. Das wird erreicht durch eine Ausbildung der zusätzlichen Schaltelemente (T3, T4) als Heiße-Elektronen-Transistoren, von denen jeder mit einem der Feldeffekttransistoren (T1, T2) zu einem gemeinsamen Bauelement (5, 6) zusammengefaßt wird, das zwei Transi storfunktionen übernimmt, aber nur die Fläche eines Feld effekttransistors benötigt. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltungskreise.

公开(公告)号：EP0135139A3

公开(公告)日：1987-04-29

申请号：EP84109643

申请日：1984-08-13

申请人： Siemens Aktiengesellschaft

发明人： Schmitt-Landsiedel, Doris Dipl.-Ing., Dipl.-Phys. ,  Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H03K03/288

CPC分类号： H03K3/288 ,  Y10S257/903

摘要： Integrierte JK-Flipflop-Schaltung mit zwei kreuzgekop pelten Invertern, die jeweils aus einem Transistor (T1, T2) und einem zu diesem in Serie geschalteten Widerstands element (R1, R2) bestehen. Zusätzliche Schaltelemente ver binden die Flipflopeingänge mit den kreuzgekoppelten Inver tern. Angestrebt wird die Realisierung der Flipflop-Schaltung auf einer möglichst kleinen Halbleiterfläche. Das wird dadurch erreicht, daß die Transistoren (T1, T2) der Inverter als Heiße-Elektronen-Transistoren ausgebildet sind, wobei jeder von ihnen mit einem der zusätzlichen Schaltelemente, das als Feldeffekttransistor realisiert ist, zu einem gemein samen Bauelement zusammengefaßt ist, das zwei Transi storfunktionen übernimmt, aber nur die Fläche eines Feldef fekttransistors benötigt. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltkreise.

公开(公告)号：EP0139946A2

公开(公告)日：1985-05-08

申请号：EP84109634.0

申请日：1984-08-13

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Dorda, Gerhard, Dr.

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7606 ,  G11C11/34

摘要： Halbleiter-Bauelement mit einem Heiße-Elektronen-Transistor des Tunnelemissionstyps, der eine Emitterschicht, eine Isolatorschicht, eine metallische oder metallisch leitende Basisschicht und eine Kollektorschicht aufweist. Angestrebt wird eine Ausgstaltung des Bauelements, die in einfacher Weise hergestellt werden kann. Das wird dadurch erreicht, daß die Emitterschicht aus einer Inversionsschicht (16) besteht, die im Kanalbereich (4) eines auf einem Halbleiterkörper integrierten Feldeffekttransistors zwischen dessen Source- und Draingebiet (2,3) aufgebaut ist, wobei die Basisschicht (5) wenigstens einen Teil der Gateelektrode des Feldeffekttransistors darstellt. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltkreise.

摘要翻译： 具有隧道发射型热电子晶体管的半导体器件，其具有发射极层，绝缘体层，金属或金属导电基极层和集电极层。 目的是设计一种能以简单的方式生产的装置。 这是通过以下方式实现的：发射极层由在场效应晶体管的沟道区（4）中构成的反型层（16）组成，该场效应晶体管集成在半导体主体之间，源极和漏极区（2,3） ），表示场效应晶体管的栅电极的至少一部分的基极层（5）。 应用领域包括高度集成的电路。