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EP0148357B1 A metal organic chemical vapour deposition process for depositing silicon doped intermetallic semiconductor compounds
失效
用于沉积硅掺杂的半导体半导体化合物的金属有机化学气相沉积工艺
- 专利标题： A metal organic chemical vapour deposition process for depositing silicon doped intermetallic semiconductor compounds
- 专利标题（中）： 用于沉积硅掺杂的半导体半导体化合物的金属有机化学气相沉积工艺
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申请号： EP84113329.1申请日： 1984-11-06
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公开(公告)号： EP0148357B1公开(公告)日： 1988-02-10
- 发明人: Kuech, Thomas Francis , Meyerson, Bernard Steele
- 申请人： International Business Machines Corporation
- 申请人地址： Old Orchard Road Armonk, N.Y. 10504 US
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： Old Orchard Road Armonk, N.Y. 10504 US
- 代理机构： Hobbs, Francis John
- 优先权： US559583 19831208
- 主分类号： C30B25/02
- IPC分类号： C30B25/02 ; H01L21/205
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