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1.
公开(公告)号:EP0166342B1
公开(公告)日:1990-08-29
申请号:EP85107442.7
申请日:1985-06-19
发明人: Tiwari, Sandip
IPC分类号: H01L21/324 , H01L21/225 , H01L29/80 , H01L29/04
CPC分类号: H01L29/045 , H01L21/2258 , H01L21/3245 , H01L29/812
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2.A method of forming a patterned resist mask for etching via holes in an insulating layer 失效
标题翻译: 形成用于通过绝缘层中的孔蚀刻的图案电阻掩模的方法公开(公告)号:EP0151408B1
公开(公告)日:1990-05-16
申请号:EP85100407.7
申请日:1985-01-17
发明人: Liu, Cheng-Yih
IPC分类号: G03F7/26
CPC分类号: G03F7/38 , H05K3/0017
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公开(公告)号:EP0205760B1
公开(公告)日:1989-12-13
申请号:EP86103212.6
申请日:1986-03-11
IPC分类号: G01R31/28
CPC分类号: G01R31/308
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4.Fabrication process for a shallow emitter, narrow intrinsic base transistor 失效
标题翻译: 用于微型发射器,窄带内部基极晶体管的制造工艺公开(公告)号:EP0094482B1
公开(公告)日:1989-11-23
申请号:EP83102360.1
申请日:1983-03-10
IPC分类号: H01L21/225 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/72
CPC分类号: H01L29/1004 , H01L21/033 , H01L21/2257 , H01L29/7325 , Y10S438/92 , Y10S438/965
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公开(公告)号:EP0144684B1
公开(公告)日:1989-08-30
申请号:EP84112875.4
申请日:1984-10-26
IPC分类号: H01L21/48
CPC分类号: H05K3/0017 , H01L21/4857 , H05K1/0272 , H05K1/0306 , H05K3/107 , H05K3/4629 , H05K2201/09036 , H05K2203/0582 , H05K2203/128
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6.A process for accelerating Pd/Sn seeds for electroless copper plating 失效
标题翻译: 用于加速电解铜镀层的PD / SN种子的方法公开(公告)号:EP0221359B1
公开(公告)日:1989-07-26
申请号:EP86113667.9
申请日:1986-10-03
发明人: Alnot, Patrick Rene , Auerbach, Daniel Jonathan , Brundle, Christopher Richard , Miller, Dolores Carlotta
IPC分类号: C23C18/28
CPC分类号: C23C18/28
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7.
公开(公告)号:EP0171921B1
公开(公告)日:1989-04-12
申请号:EP85304902.1
申请日:1985-07-09
IPC分类号: H01L21/324
CPC分类号: H01L21/3245 , H01L21/2686 , Y10S148/004 , Y10S148/084
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公开(公告)号:EP0083397B1
公开(公告)日:1989-04-12
申请号:EP82109507.2
申请日:1982-10-14
IPC分类号: H01L21/00
CPC分类号: H01L21/0274 , G03F7/2002 , H05K3/0082 , H05K3/048 , H05K2201/2054
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公开(公告)号:EP0166343B1
公开(公告)日:1989-02-01
申请号:EP85107443.5
申请日:1985-06-19
CPC分类号: H01L29/8618 , H01L29/365 , H01L29/861
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10.
公开(公告)号:EP0197393B1
公开(公告)日:1989-01-25
申请号:EP86103849.5
申请日:1986-03-21
IPC分类号: H05K1/00
CPC分类号: H05K1/0228 , H05K2201/09236 , H05K2201/09254
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