发明授权
- 专利标题： Apparatus for plasma assisted etching
- 专利标题（中）： 等离子体辅助蚀刻装置
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申请号： EP86308106.3申请日： 1986-10-20
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公开(公告)号： EP0220901B1公开(公告)日： 1992-03-04
- 发明人: Davis, Cecil J. , Carter, Duane E. , Jucha, Phett B.
- 申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 申请人地址： 13500 North Central Expressway Dallas Texas 75265 US
- 专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人地址： 13500 North Central Expressway Dallas Texas 75265 US
- 代理机构： Abbott, David John
- 优先权： US790707 19851024
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32
公开/授权文献
- EP0220901A3 Apparatus for plasma assisted etching 公开/授权日：1989-02-01
信息查询
