发明公开
- 专利标题: Dispositif pour former un bain d'un matériau semi-conducteur fond afin d'y faire croître un élément cristallin
- 专利标题(英): Apparatus for forming a melt of semiconductor material for growing a crystal element
- 专利标题(中): 装置,用于显示现有的半导体材料熔化用于制造液晶元件。
-
申请号: EP86117625.3申请日: 1986-12-18
-
公开(公告)号: EP0230617A1公开(公告)日: 1987-08-05
- 发明人: Belouet, Christian , Mautref, Michel
- 申请人: COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE Société anonyme dite: , SOCIETE NATIONALE ELF AQUITAINE
- 申请人地址: 54, rue La Boétie F-75382 Paris Cédex 08 FR
- 专利权人: COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE Société anonyme dite:,SOCIETE NATIONALE ELF AQUITAINE
- 当前专利权人: COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE Société anonyme dite:,SOCIETE NATIONALE ELF AQUITAINE
- 当前专利权人地址: 54, rue La Boétie F-75382 Paris Cédex 08 FR
- 代理机构: Weinmiller, Jürgen
- 优先权: FR8519041 19851223
- 主分类号: C30B15/02
- IPC分类号: C30B15/02
摘要:
Il comporte un récipient d'alimentation (10) dont le fond est muni d'une ouverture (14), des moyens d'alimentation (15 à 17) du récipient (10) en silicium solide et des moyens de chauffage (11 à 13) du récipient, celui-ci étant placé au dessus d'un creuset (1) contenant le bain (8) pour que le silicium liquide du récipient (10) s'écoule par l'ouverture (14) dans le creuset (1) lorsque le niveau (h) de silicium liquide dans le récipient atteint une valeur maximale (20), cet écoulement s'arrêtant lorsque le niveau (h) est descendu à une valeur minimale (22).
Application au dépôt d'une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone.
Application au dépôt d'une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone.
信息查询
IPC分类: