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1.发明公开Procédé et dispositif pour déposer une couche d'un matériau semi-conducteur sur un ruban 失效用于与半导体材料的层涂覆带材的方法和装置。
公开(公告)号：EP0170252A1
公开(公告)日：1986-02-05
申请号：EP85109549.7
申请日：1985-07-30
申请人： COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE Société anonyme dite: , SOCIETE NATIONALE ELF AQUITAINE (PRODUCTION)
发明人： Belouet, Christian
CPC分类号： C04B41/009 , C04B41/4505 , C04B41/81 , C23C2/40 , C30B15/007 , C30B15/24 , C04B41/50 , C04B41/5022 , C04B35/52
摘要： Procédé et dispositif pour déposer une couche d'un matériau semi-conducteur sur un ruban.
Le procédé consiste à mettre en contact la surface horizontale inférieure de deux plaquettes de quartz (15, 16) avec la surface horizontale d'équilibre (24) d'un bain (2) du matériau semi-conducteur fondu, puis à soulever ces plaquettes (15. 16) à un niveau prédéterminé (h) au-dessus de cette surface (24) et à les disposer respectivement à une distance prédéterminée (d) des bords latéraux (11, 12) du ruban (4) traversant verticalement le bain (2).
Application à la réalisation de photopiles solaires.摘要翻译： 1.一个带上沉积半导体材料的层，其包括逐步拉伸绷紧带垂直向上，色带纵向和垂直穿过熔化的半导体材料的浴中，半导体材料的上沉积的层的水平平衡表面的方法 色带会议沿着等温结晶曲线熔体中，并在这样做是另外包括的特征的面：哪个besteht第一步骤，拉丝，在布置第一板的一个面（15）和一个第二的一个面之前 上所述水平平衡表面板（16），被选择的板材所以没有熔化的半导体材料粘附到所述表面; 并且besteht，在第一步骤之后和拉伸之前，在各板（16）移动的第二步骤，以水平地处置它在高于熔体，并在从每个侧边缘的预定距离（d）的预定高度（h）（ 12），在寻求其方式是局部地色带（4）的通过毛细作用的方式在带状的各侧缘的附近提高水平平衡表面的水平和以引起结晶等温线被在所述突起边缘 拉伸过程中，增加所沉积的层的厚度。
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2.发明授权Procédé et dispositif pour déposer une couche d'un matériau semi-conducteur sur un ruban 失效在RIBBON上形成半导体材料层的工艺和装置
公开(公告)号：EP0170252B1
公开(公告)日：1988-07-27
申请号：EP85109549.7
申请日：1985-07-30
申请人： COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE Société anonyme dite: , SOCIETE NATIONALE ELF AQUITAINE (PRODUCTION)
发明人： Belouet, Christian
CPC分类号： C04B41/009 , C04B41/4505 , C04B41/81 , C23C2/40 , C30B15/007 , C30B15/24 , C04B41/50 , C04B41/5022 , C04B35/52
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公开(公告)号：EP0157686B1
公开(公告)日：1988-03-02
申请号：EP85400503.0
申请日：1985-03-15
发明人： Belouet, Christian
CPC分类号： C30B15/007 , C23C2/40
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4.发明公开
公开(公告)号：EP0141114A1
公开(公告)日：1985-05-15
申请号：EP84110062.1
申请日：1984-08-23
CPC分类号： H01L31/182 , B05C3/125 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/007 , C30B29/605 , H01L31/03682 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： Le dispositif comprend, un bain (3) de silicium fondu dans un creuset (1 des moyens (6,7) pour déplacer verticalement un ruban (5) de carbone dans le bain, un système optique (13, 14) formant sur un détecteur (16) l'image d'une zone de la surface du silicium, cette zone étant située sur la ligne de raccordement (25) entre le silicium solide et le silicium liquide, et un système d'asservissement (17) relié au détecteur (16) et à des moyens électriques (12) d'alimentation en silicium du bain (3).
Application à la fabrication de photopiles solaires.-
5.发明公开Dispositif pour former un bain d'un matériau semi-conducteur fond afin d'y faire croître un élément cristallin 失效装置，用于显示现有的半导体材料熔化用于制造液晶元件。
公开(公告)号：EP0230617A1
公开(公告)日：1987-08-05
申请号：EP86117625.3
申请日：1986-12-18
IPC分类号： C30B15/02
CPC分类号： C30B15/02
摘要： Il comporte un récipient d'alimentation (10) dont le fond est muni d'une ouverture (14), des moyens d'alimentation (15 à 17) du récipient (10) en silicium solide et des moyens de chauffage (11 à 13) du récipient, celui-ci étant placé au dessus d'un creuset (1) contenant le bain (8) pour que le silicium liquide du récipient (10) s'écoule par l'ouverture (14) dans le creuset (1) lorsque le niveau (h) de silicium liquide dans le récipient atteint une valeur maximale (20), cet écoulement s'arrêtant lorsque le niveau (h) est descendu à une valeur minimale (22).
Application au dépôt d'une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone.-
6.发明授权
公开(公告)号：EP0141941B1
公开(公告)日：1987-03-18
申请号：EP84110209.8
申请日：1984-08-28
发明人： Belouet, Christian
CPC分类号： C30B15/007 , B05C3/125 , C23C2/22 , C23C2/40 , C30B15/30
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7.发明公开Dispositif pour deposer une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone 失效一种用于在碳带上沉积多晶硅层的设备。
公开(公告)号：EP0141941A1
公开(公告)日：1985-05-22
申请号：EP84110209.8
申请日：1984-08-28
发明人： Belouet, Christian
CPC分类号： C30B15/007 , B05C3/125 , C23C2/22 , C23C2/40 , C30B15/30
摘要： ® Le dispositif comporte un bain (2) de silicium fondu dans lequel on tire verticalement un ruban de carbone (4), et deux goulottes (15, 16) semi-circulaires maintenues verticalement par des supports (17, 18) du voisinage des bords (11, 12) du ruban (4) de façon que la concavité des goulottes soit tournée vers ces bords, les goulottes étant partiellement plongées dans le bain pour élever son niveau.
Application à la réalisation de photopiles solaires.-
8.发明授权
公开(公告)号：EP0141114B1
公开(公告)日：1988-09-21
申请号：EP84110062.1
申请日：1984-08-23
CPC分类号： H01L31/182 , B05C3/125 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/007 , C30B29/605 , H01L31/03682 , Y02E10/546 , Y02P70/521
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9.发明公开
公开(公告)号：EP0199093A1
公开(公告)日：1986-10-29
申请号：EP86103771.1
申请日：1986-03-20
发明人： Belouet, Christian
IPC分类号： C30B15/30
CPC分类号： C30B15/00
摘要： Le procédé consiste à serrer les bords du ruban entre les deux mâchoires d'une pince et à déplacer la pince verticalement de bas en haut. Le dispositif comporte deux colonnes verticales (10, 11) sur lesquelles peuvent coulisser deux chariots (12, 13) portant chacun une pince (14, 15) et des moyens (16, 17, 19, 20) pour commander la manoeuvre des pinces et le déplacement des chariots le long des colonnes.
Application à réalisation de photopiles solaires.-
公开(公告)号：EP0157686A1
公开(公告)日：1985-10-09
申请号：EP85400503.0
申请日：1985-03-15
发明人： Belouet, Christian
CPC分类号： C30B15/007 , C23C2/40
摘要： II comporte un récipient contenant un bain de silicium fondu, le fond du récipient comprenant une fente (7) traversée par le ruban (9) tiré verticalement à travers le bain, la paroi verticale de la fente (7) étant arrondie dans sa partie inférieure, la section horizontale de la fente (7) comportant une surface rectangulaire (25) dont la longueur est égaie à la largeur du ruban (9) et deux surfaces circulaires (28, 29) disposées aux deux extrémités de la surface rectangulaire (25), le diamètre (32) des surfaces circulaires (28, 29) étant supérieur à la largeur de la surface rectangulaire (25).
Application à la réalisation de photopiles solaires au silicium.
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