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1.发明公开
公开(公告)号：EP0141114A1
公开(公告)日：1985-05-15
申请号：EP84110062.1
申请日：1984-08-23
CPC分类号： H01L31/182 , B05C3/125 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/007 , C30B29/605 , H01L31/03682 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： Le dispositif comprend, un bain (3) de silicium fondu dans un creuset (1 des moyens (6,7) pour déplacer verticalement un ruban (5) de carbone dans le bain, un système optique (13, 14) formant sur un détecteur (16) l'image d'une zone de la surface du silicium, cette zone étant située sur la ligne de raccordement (25) entre le silicium solide et le silicium liquide, et un système d'asservissement (17) relié au détecteur (16) et à des moyens électriques (12) d'alimentation en silicium du bain (3).
Application à la fabrication de photopiles solaires.-
2.发明公开Dispositif pour former un bain d'un matériau semi-conducteur fond afin d'y faire croître un élément cristallin 失效装置，用于显示现有的半导体材料熔化用于制造液晶元件。
公开(公告)号：EP0230617A1
公开(公告)日：1987-08-05
申请号：EP86117625.3
申请日：1986-12-18
IPC分类号： C30B15/02
CPC分类号： C30B15/02
摘要： Il comporte un récipient d'alimentation (10) dont le fond est muni d'une ouverture (14), des moyens d'alimentation (15 à 17) du récipient (10) en silicium solide et des moyens de chauffage (11 à 13) du récipient, celui-ci étant placé au dessus d'un creuset (1) contenant le bain (8) pour que le silicium liquide du récipient (10) s'écoule par l'ouverture (14) dans le creuset (1) lorsque le niveau (h) de silicium liquide dans le récipient atteint une valeur maximale (20), cet écoulement s'arrêtant lorsque le niveau (h) est descendu à une valeur minimale (22).
Application au dépôt d'une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone.-
3.发明授权
公开(公告)号：EP0141114B1
公开(公告)日：1988-09-21
申请号：EP84110062.1
申请日：1984-08-23
CPC分类号： H01L31/182 , B05C3/125 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/007 , C30B29/605 , H01L31/03682 , Y02E10/546 , Y02P70/521
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